|
nedoPC.orgElectronics hobbyists community established in 2002 |
|
Полный реверс-инжиниринг КР580ВМ80А / i8080
Author |
Message |
viv-pm
Novelist
Joined: 17 Mar 2015 21:54 Posts: 31
|
Может быть и ничего, а может и микросхемотехника. Например, в "высококачественной МОП" (HMOP) вокруг транзисторов появилось охранное кольцо, в КМОП уже стандартное.
|
27 Dec 2016 06:08 |
|
|
angry_troll
Doomed
Joined: 08 Apr 2013 04:04 Posts: 449 Location: 213.247.249.139
|
Меня вот какой вопрос интересует. Если мы на подложку подаём -5в, не эквивалентно ли это подаче на все затворы +5в? Ну т.е. не образуются ли под всеми транзисторами проводящие каналы в этом случае? В книжках разных рассказывают, как образуется проводящий канал (по сути, настолько сильное эл. поле в p-подложку от конденсатора вкорячивается, что не только основные носители подложки уходят вглубь, но и неосновные появляются из-за искажения зон Ферми). Но почему-то всегда пишут про Uзи, а не Uзп. Вот тут у меня и непонятки. Мне видится что-то вроде, как только индуцированный канал омически соединяется с островками стока-истока, которые тоже под потенциалом затвора (в случае подложка = -5в, остальные напряжения отключены), и под этим потенциалом канал тут же исчезает, покрмере около островков стока и истока. Но я не уверен, так как в книжках это подробно не проясняется.
_________________ привет засранцу лавру :)
|
27 Dec 2016 07:07 |
|
|
angry_troll
Doomed
Joined: 08 Apr 2013 04:04 Posts: 449 Location: 213.247.249.139
|
Может, из-за омического сопротивления несмещённой подложки, её участки при переключениях могут "подскакивать" и ёмкостной ток будет уходить в стоки-истоки через прямосмещённый p-n переход, что есть плохо по какой-то причине...
_________________ привет засранцу лавру :)
|
27 Dec 2016 07:08 |
|
|
viv-pm
Novelist
Joined: 17 Mar 2015 21:54 Posts: 31
|
| | | | angry_troll wrote: Меня вот какой вопрос интересует. Если мы на подложку подаём -5в, не эквивалентно ли это подаче на все затворы +5в? Ну т.е. не образуются ли под всеми транзисторами проводящие каналы в этом случае? В книжках разных рассказывают, как образуется проводящий канал (по сути, настолько сильное эл. поле в p-подложку от конденсатора вкорячивается, что не только основные носители подложки уходят вглубь, но и неосновные появляются из-за искажения зон Ферми). Но почему-то всегда пишут про Uзи, а не Uзп. Вот тут у меня и непонятки. Мне видится что-то вроде, как только индуцированный канал омически соединяется с островками стока-истока, которые тоже под потенциалом затвора (в случае подложка = -5в, остальные напряжения отключены), и под этим потенциалом канал тут же исчезает, покрмере около островков стока и истока. Но я не уверен, так как в книжках это подробно не проясняется. | | | | |
Поле затвора тащит неосновные носители прежде всего из истоковой области. Напряжение затвор-подложка конечно влияет на работу транзистора, но не так сильно, как напряжение затвор-исток.
|
28 Dec 2016 00:26 |
|
|
Lavr
Supreme God
Joined: 21 Oct 2009 08:08 Posts: 7777 Location: Россия
|
Довольно нехило смещение на подложке сдвигает характеристику полевика. На форуме уже была эта картинка, так что дублировать, пожалуй, не буду...
_________________ iLavr
|
28 Dec 2016 06:14 |
|
|
Lavr
Supreme God
Joined: 21 Oct 2009 08:08 Posts: 7777 Location: Россия
|
Давно я искал, и вот попался материал, как делал реверс-инжиниринг i8080 конструктор нашего КР580ВМ80А - Альфред Витольевич Кобылинский: https://www.epos.ua/view.php/pubs_computer_history_Ukraine_prophets1 | | | | Quote: На западе писали, что в Советском Союзе потратили очень большие деньги на копирование этого процессора. Якобы советские инженеры снимали с INTELовского процессора слой за слоем и детально исследовали, повторяли. На самом деле то, что сделала команда Кобылинского, выглядело просто нереально и даже смешно, если бы не было настолько гениально. Они просто раскололи (вдоль) корпус, взяли микроскоп с фотоаппаратом, и сделали 36 снимков разных секторов кристалла. Подбирали освещение кристалла под таким углом, чтобы было видно, где легирование «плюсовое», где «минусовое», где затвор, а где проводящий алюминий. Затем проявленную пленку просто зарядили в детский фильмоскоп и проецировали изображение на большой кусок миллиметровки так, чтобы 5 микронов на пленке соответствовали пяти сантиметрам на экране. И дальше просто обводили каждый кадр цветными карандашами. Красным - легированную р- область. Синим - легированную n- область. А зеленым - металлизацию. Затем просто склеили из обрисованных кадров большую бумажную простыню и передали ее моделистам. У них на ЭВМ БЕСМ6 - были созданы мощные системы моделирования. На этой ЭВМ они пересчитали режимы работы всех транзисторов и спроектировали процессор по отечественной топологической норме! При этом, вот что происходило. Во время моделирования на БЕСМ6 - они определили, что несколько транзисторов работают не просто неправильно, а близко к режиму перегрузки. Они эту недоработку исправили, вывели транзисторы на нормальный режим, а первый экземпляр процессора у них сразу заработал! Они и питание процессора изменили и тактовую частоту. У них процессор работал пять плюс пять и с нулевой подложкой. Короче получили результат лучший, чем у INTEL. Было видно, что американцы торопились с выпуском этого процессора, поэтому у них и оставались недоделки. А наши их устранили. В итоге, киевский кристалл процессора получился больше по размерам, чем исходный, но зато значительно дешевле. Американцы делали свой процессор на технологическом пределе того времени. А украинцы сделали на том, что было доступно. Главное – что это был функциональный аналог американского процессора, а не топографический. Тот есть он был не содран один к одному, а переосмыслен и по-новому спроектирован. Поэтому и оказался со всех сторон очень удачным. | | | | |
_________________ iLavr
|
04 Nov 2019 19:21 |
|
|
Lavr
Supreme God
Joined: 21 Oct 2009 08:08 Posts: 7777 Location: Россия
|
Давно я искал, и очень хотел увидеть, как выглядел " отец" наших К580ИК80 и КР580ВМ80А - Альфред Витольдович Кобылинский. И, похоже, мне это удалось! Если я ошибся - кинете все потом в меня камень... Нет - не ошибся! Это действительно Альфред Витольдович Кобылинский! Надо же... 2-й раз повезло! Вот только кажется мне, дата на фото ошибочна... 1969 там должно быть...
_________________ iLavr
|
22 Apr 2021 22:15 |
|
|
Who is online |
Users browsing this forum: No registered users and 3 guests |
|
You cannot post new topics in this forum You cannot reply to topics in this forum You cannot edit your posts in this forum You cannot delete your posts in this forum You cannot post attachments in this forum
|
|