bigral
Senior
Joined: 31 Mar 2012 16:50 Posts: 152 Location: 93.73.80.128
|
Есть такая микруха как кр1810вт3 это контроллер dram, интересен он также тем что его можно использовать как генератор на 2,1мгц, просто подается питание и сразу появляется сигнал /ras с этой частотой... но вот же прикол - минимальная амплитуда этого сигнала держится под 80mV и если этот сигнал подать на базу кт315 (понятное дело ограничивши ток резистором в 1кОм) то транзистор держится постоянно в открытом состоянии ;( Как это правильно побороть без применения логики с открытым коллектором?
|
Mixa64
Doomed
Joined: 25 Aug 2009 07:02 Posts: 459 Location: Москва
|
Че-та не совсем понял, о чем речь, когда-то игрался с ВТ3, но такого поведения не припомнаю, поэтому взял и снова поставил КР1810ВТ3 на стенд. Да, оказывается, генерация есть, /RAS идет с частотой где-то чуть более 2 МГц. Но генерация нестабильна, заводится не всегда и реагирует на приближение руки к району ног 36 и 37. Одинаковая форма сигнала на 36 и 37, со сдвигом на пол-периода, дает основание предполагать, что 36 и 37 это входы-выходы симметричного мультивибратора, который то ли сам по себе заводится, то ли нужна емкость между 36 и 37, и таковой паразитной начинает хватать. Если воткнуть емкость в десятки пФ, то преиод увеличивается, появляется стабильность генерации, но все равно присутствует джиттер. Кварц, понятное дело, стабилизирует окончательно. Но, судя по форме сигнала и его поведению на ногах 36 и 37, снимать его оттуда для каких-то целей - идея не очень подходящая. 80 милливольт - это же амплитуда там? Потому что RAS идет с нормальным ТТЛ уровнем.
|
bigral
Senior
Joined: 31 Mar 2012 16:50 Posts: 152 Location: 93.73.80.128
|
Да пожалуй ниче другого придумать не выходит - т.е. если схема с общим эмитером (который в этом случае сидит на земле) нужно кинуть еще ~680 Oм резистор, между базой и эмитером, чтоб притянуть к земле. Ток базы в этом случае будет ~4mA что вполне достаточно для многих транзисторов чтобы открыться. Фигово в этом случае то что входной сигнал просядет на 100mV да и запаздывание будет изза делителя напряжения и насыщения\разнасыщения транзистора (может даже 200ns)
|