nedoPC.org

Community of electronics hobbyists established in 2002

...
Atom Feed | View unanswered posts | View active topics It is currently 22 Nov 2017 07:02



Reply to topic  [ 18 posts ]  Go to page Previous  1, 2
Западные MOSFET 
Author Message
Supreme God
User avatar

Joined: 21 Oct 2009 11:08
Posts: 7777
Location: Россия
Reply with quote
Tronix wrote:
Да и чего на спичках экономить? Он SOT-23, не здоровая дура.

Да дело не в экономии - я делаю подбор моделей для интегральных транзисторов,
но модель всё же должна быть правдоподобная, а не так что - 3 А коммутит запросто... :wink:

Я же показал что мне надо - чтобы ПТ не просаживался на нагрузке 10 К при питании 10...12 В.
Image

Сегодня уже попалось - вот такую якобы 'комплементарную' пару люди используют:
Attachment:
image002.gif
image002.gif [ 4.78 KiB | Viewed 120 times ]

Но, как говорится, "поздно пить боржоми" уже - я, как мне кажется, понял тенденцию, какие
параметры у модели трогать и в какую сторону, а какие - не трогать...

А чего я такой серьёзный? А встречается в этом нашем Интернете просто пооолная брехня! :o
К примеру - вот полная брехня:
Attachment:
Ris_lab2_08.gif
Ris_lab2_08.gif [ 13.68 KiB | Viewed 120 times ]

И самая большая подляна такой брехни, что вобще-то она "работает"... :ebiggrin:
И ведь кто-то этому всерьёз верит... :-?


P.S. Кстати, в паре BST100 - MPF960 первый еще вполне ничего:

Наименование прибора: BST100
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.3 A
Выходная емкость (Cd): 30 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4.5 Ohm


Ну а со вторым - они явно переборщили:
Small Signal MOSFET MPF960 2 Amps, 35, 60, 90 Volts

Но у них там - свои заморочки: они в расчете могут варьировать геометрические размеры
кристалла MOSFET, может быть у них тоже нет других подходящих моделей...
:-?

_________________
iLavr


30 Sep 2017 20:53
Profile
Supreme God
User avatar

Joined: 21 Oct 2009 11:08
Posts: 7777
Location: Россия
Reply with quote
Lavr wrote:
я, как мне кажется, понял тенденцию, какие параметры у модели трогать и в какую сторону, а какие - не трогать...

В общем подобрал я, как мне кажется, правильные параметры моделей на основе реальной пары 2N7000 - BSS84.

И для теста своих моделей собрал следующую схему:
Attachment:
CMOS3.gif
CMOS3.gif [ 10.81 KiB | Viewed 109 times ]


И всё сразу попёрло правильно - "как по учебнику"! :lol:
Attachment:
CMOS2.gif
CMOS2.gif [ 2.48 KiB | Viewed 109 times ]


А вот как оно действительно - "по учебнику"... :wink:
Attachment:
CMOS4.gif
CMOS4.gif [ 19.7 KiB | Viewed 109 times ]


Для всех, кто терпеливо читал мой "околонаучный бред" - вот сами модели:
DIGITAL.LIB wrote:
* Digital Spice Model Library 2017
*
* 2N7000 MODEL LAST REVISION 01/10/2017
*
* DIGITAL 2N7000 Spice Mosfet Subcircuit
*
.SUBCKT 2N7000 3 4 5
* Nodes D G S
M1 3 2 5 5 MOD1
RG 4 2 343
RL 3 5 6E6
D1 5 3 DIODE1
.MODEL MOD1 NMOS VTO=2.474 RS=1.68 RD=0.0 IS=1E-15 KP=0.296
+CGSO=23.5P CGDO=4.5P CBD=53.5P PB=1 LAMBDA=267E-6
.MODEL DIODE1 D IS=1.254E-13 N=1.0207 RS=0.222
.ENDS 2N7000
*

* Digital Spice Model Library 2017
*
* BSS84 MODEL LAST REVISION 01/10/2017
*
.SUBCKT BSS84 30 40 50
* NODES: DRAIN GATE SOURCE
M1 30 20 50 50 MOD1 L=1 W=1
RG 40 20 167
RL 30 50 50E6
D1 30 50 DIODE1
.MODEL MOD1 PMOS VTO=-2.474 RS=1.091 RD=0.079 IS=1E-15 KP=0.246
+CGSO=26P CGDO=4P CBD=12P PB=1
.MODEL DIODE1 D IS=1.072E-13 RS=0.527 N=1.077
.ENDS BSS84
*

Это, конечно, не настоящие 2N7000 - BSS84 теперь, а обструганные примерно до нужных величин.
Я их оставил в начале своих библиотек чисто как образец, к которому можно вернуться, если что испорчу.

Да... и не ругайте расчетные пакеты... как видите - они правильно считают то, что правильно сделано по теории.
Ну а то, что неправильно - они вам неправильно и посчитают... они же без мозгов - чистая математика...
:mrgreen:

_________________
iLavr


01 Oct 2017 08:45
Profile
Supreme God
User avatar

Joined: 21 Oct 2009 11:08
Posts: 7777
Location: Россия
Reply with quote
Lavr wrote:
С подложкой отдельным выводом, или соединенной с истоком, обеднённого или обогащённого типа,
с точки зрения параметров моделей НЕ РАЗЛИЧАЮТСЯ НИКАК! :o
Хотя я читал где-то и вроде даже сам пробовал проверить, что напряжение на подложке в симуляции
влияет на величину порогового напряжения...

Специально проверил: в этих моделях, которые я здесь разбирал, а это модели 1-го уровня,
ПОДЛОЖКА НИКАК НЕ ВЛИЯЕТ НА ПОВЕДЕНИЕ МОДЕЛИ :exclaim:
Attachment:
substrate.gif
substrate.gif [ 2.04 KiB | Viewed 103 times ]

И это закономерно, на мой взгляд - в моделях влияние подложки никак не отражено.

Возможно, 4-х выводная модель MOSFET заготовлена просто под PSpice-содержимое
более высокого уровня.

Вот тут Shaos мне давал модели интегральных MOSFET :
http://www.nedopc.org/forum/viewtopic.php?p=99061#p99061
Но я не рискнул с ними ничего посчитать, поскольку они 8-го уровня (LEVEL = 8 ). А я читал, что:
Quote:
Эквивалентные схемы МДП–транзисторов в EWB соответствуют самой простой модели первого уровня программы PSpice [2].
Кажется, это Карлащук В.И. написал в книге "Электронная лаборатория на IBM PC. Программа Electronics Workbench..."
Тоже не совсем правда: я пока разбирался - нашел одну модель 3-го уровня (здесь в топике приведена).

_________________
iLavr


01 Oct 2017 11:05
Profile
Display posts from previous:  Sort by  
Reply to topic   [ 18 posts ]  Go to page Previous  1, 2

Who is online

Users browsing this forum: No registered users and 1 guest


You cannot post new topics in this forum
You cannot reply to topics in this forum
You cannot edit your posts in this forum
You cannot delete your posts in this forum
You cannot post attachments in this forum

Search for:
Jump to:  
Powered by phpBB® Forum Software © phpBB Group
Designed by ST Software.