Полный реверс-инжиниринг КР580ВМ80А / i8080

Советские программируемые калькуляторы, микрокомпьютеры и большие ЭВМ, не попавшие в другие разделы

Moderator: Shaos

antsnark
Doomed
Posts: 434
Joined: 27 Jan 2010 03:45
Location: 83.149.9.42

Полный реверс-инжиниринг КР580ВМ80А / i8080

Post by antsnark »

http://habrahabr.ru/post/249613/
реверс-инжениринг КР580ВМ80А полностью завершен. Получена полная принципиальная схема и Verilog-модель. В невероятно короткие сроки схему восстановил Vslav (1801ВМ1@gmail.com).

Оказалось, в КР580ВМ80А ровно 4758 транзисторов (а не 6000 или 4500, как иногда ошибочно упоминают).

Топология КР580ВМ80А похожа, но не идентична i8080. Тем не менее, отличий в реализации опкодов КР580ВМ80А не было обнаружено.

Verilog-модель успешно прошла зубодробительный тест качества симуляции и как Verilog-модель, и как FPGA заменяя реальный КР580ВМ80А в "Специалисте".
Image
User avatar
Lavr
Supreme God
Posts: 16689
Joined: 21 Oct 2009 08:08
Location: Россия

Post by Lavr »

Следил за этим процессом, и если я не ошибаюсь, "новость" эта родилась 19.08.2014,
а сама принципиальная схема - так и ещё раньше...

Но всё равно приятно, что реальная схема КР580ВМ80А на транзисторах теперь есть.
Глядишь, и на логике появится...
iLavr
User avatar
Shaos
Admin
Posts: 24086
Joined: 08 Jan 2003 23:22
Location: Silicon Valley

Post by Shaos »

Круто, теперь ждём 580ВМ1 ;)

Кстати а никто ещё не озвучил отличия от i8080?...

P.S. Перенёс в Soviet
Я тут за главного - если что шлите мыло на me собака shaos точка net
User avatar
Lavr
Supreme God
Posts: 16689
Joined: 21 Oct 2009 08:08
Location: Россия

Post by Lavr »

Shaos wrote:Кстати а никто ещё не озвучил отличия от i8080?...
Так указали же, что отличия в топологии. Т.е. 580ВМ80А не передрат 1:1, а сделан
по образцу на своей технологии.
BarsMonster wrote:Топология КР580ВМ80А похожа, но не идентична i8080. Тем не менее,
отличий в реализации опкодов КР580ВМ80А не было обнаружено.
iLavr
User avatar
Shaos
Admin
Posts: 24086
Joined: 08 Jan 2003 23:22
Location: Silicon Valley

Post by Shaos »

А вот мне интересно узнать какие именно отличия - поимённо...
Я тут за главного - если что шлите мыло на me собака shaos точка net
esl
Writer
Posts: 24
Joined: 23 May 2006 13:40

Post by esl »

я уже написал на хабре ;)
но думаю это "копия" одной из версий
с изменениями и дополнениями
уж ОЧЕНЬ похожи кристалы
User avatar
Lavr
Supreme God
Posts: 16689
Joined: 21 Oct 2009 08:08
Location: Россия

Post by Lavr »

Shaos wrote:А вот мне интересно узнать какие именно отличия - поимённо...
Ну так ты же у нас зарегистрирован на http://zx-pk.ru/ - тебе и карты в руки! :roll:
Поинтересовался бы непосредственно у авторов сенсации - их там немного, и рассказал
бы нам, дремучим...
Я-то zx-pk.ru, как и множество других ресурсов почитываю сугубо молча...

Кстати, и 1801ВМ1 - уже практически готов, насколько я понимаю...

esl wrote:уж ОЧЕНЬ похожи кристалы
Пишут, что и y z80 много сходства... и не думаю, что надо было специально вносить вариации,
если что-то удачно выполнено.
iLavr
User avatar
Lavr
Supreme God
Posts: 16689
Joined: 21 Oct 2009 08:08
Location: Россия

Post by Lavr »

Один момент только не совсем понятен... если различия только в топологии,
то как же тогда:
BarsMonster wrote:Оказалось, в КР580ВМ80А ровно 4758 транзисторов
но
esl wrote:кстати из подписи «Intel 8080, 1975, 4,500 transistors...
Что-то же делают в схеме дополнительные 258 транзисторов? :lol:
Или Intel даёт округленные приблизительные цифры...
iLavr
User avatar
Shaos
Admin
Posts: 24086
Joined: 08 Jan 2003 23:22
Location: Silicon Valley

Post by Shaos »

Ну говорят же вроде, что 580 умеет работать с одним питанием +5В, а буржуйский 8080A - нет...

т.е. как минимум отличия в питании должны быть?
Я тут за главного - если что шлите мыло на me собака shaos точка net
User avatar
Lavr
Supreme God
Posts: 16689
Joined: 21 Oct 2009 08:08
Location: Россия

Post by Lavr »

Shaos wrote:Ну говорят же вроде, что 580 умеет работать с одним питанием +5В, а буржуйский 8080A - нет...
И объясняют это чисто технологическими моментами, а не схемотехникой.
Если ты следил за темой - прозвучало однозначно, что
"формирователя смещения подложки на кристалле нет".
iLavr
User avatar
Shaos
Admin
Posts: 24086
Joined: 08 Jan 2003 23:22
Location: Silicon Valley

Post by Shaos »

Lavr wrote:
Shaos wrote:Ну говорят же вроде, что 580 умеет работать с одним питанием +5В, а буржуйский 8080A - нет...
И объясняют это чисто технологическими моментами, а не схемотехникой.
Если ты следил за темой - прозвучало однозначно, что
"формирователя смещения подложки на кристалле нет".
Нет, не следил. Это значит что -5 вообще подключать к 580 ненадо или что?...
Я тут за главного - если что шлите мыло на me собака shaos точка net
User avatar
Lavr
Supreme God
Posts: 16689
Joined: 21 Oct 2009 08:08
Location: Россия

Post by Lavr »

Shaos wrote:Нет, не следил...
Ну прочитай на досуге как-нибуть: http://zx-pk.ru/showthread.php?t=23349
Там минут на 35, если по существу. А то как-то не с руки мне заниматься пересказом.
Shaos wrote:Это значит что -5 вообще подключать к 580 ненадо или что?...
Это значит, что из тех 258 транзисторов, что меня заинтересовали, в формирователях
смещения на кристалле не задействован ни один.
Поскольку таких формирователей там просто нет.
iLavr
angry_troll
Doomed
Posts: 449
Joined: 08 Apr 2013 04:04
Location: 213.247.249.139

Re: Полный реверс-инжиниринг КР580ВМ80А / i8080

Post by angry_troll »

А вот всё же подниму тему -5в и 'подложки'.
Какая подложка имеется в виду прежде всего? Которая у каждого нмоп транзистора, или какая-то другая?
привет засранцу лавру :)
viv-pm
Novelist
Posts: 31
Joined: 17 Mar 2015 21:54

Re: Полный реверс-инжиниринг КР580ВМ80А / i8080

Post by viv-pm »

Подложка общая для всей микросхемы (кристалла). Обычно она с p-проводимостью. Стоки и истоки n-канальных МОП транзисторов это небольшие области с n-проводимостью. Подавая на подложку напряжение ниже самого
низкого напряжения в самой схеме обеспечивается надёжное запирание получившихся p-n переходов и, таким
образом, изоляция транзисторов друг от друга. Кстати, -5В избыточно, вполне хватило бы напряжения ниже кремниевых -0,7В, например -1,0В.
User avatar
Lavr
Supreme God
Posts: 16689
Joined: 21 Oct 2009 08:08
Location: Россия

Re: Полный реверс-инжиниринг КР580ВМ80А / i8080

Post by Lavr »

viv-pm wrote:Подавая на подложку напряжение ниже самого низкого напряжения в самой схеме обеспечивается надёжное запирание получившихся p-n переходов и, таким образом, изоляция транзисторов друг от друга.
Интересно... А когда -5В не подают на КР580ВМ80А (выше упоминали, что он может работать без "-"),
что тогда обеспечивает "изоляцию транзисторов друг от друга"?
iLavr