Shaos wrote:А вот мне интересно узнать какие именно отличия - поимённо...
Ну так ты же у нас зарегистрирован на http://zx-pk.ru/ - тебе и карты в руки!
Поинтересовался бы непосредственно у авторов сенсации - их там немного, и рассказал
бы нам, дремучим...
Я-то zx-pk.ru, как и множество других ресурсов почитываю сугубо молча...
Кстати, и 1801ВМ1 - уже практически готов, насколько я понимаю...
esl wrote:уж ОЧЕНЬ похожи кристалы
Пишут, что и y z80 много сходства... и не думаю, что надо было специально вносить вариации,
если что-то удачно выполнено.
Shaos wrote:Ну говорят же вроде, что 580 умеет работать с одним питанием +5В, а буржуйский 8080A - нет...
И объясняют это чисто технологическими моментами, а не схемотехникой.
Если ты следил за темой - прозвучало однозначно, что
"формирователя смещения подложки на кристалле нет".
Shaos wrote:Ну говорят же вроде, что 580 умеет работать с одним питанием +5В, а буржуйский 8080A - нет...
И объясняют это чисто технологическими моментами, а не схемотехникой.
Если ты следил за темой - прозвучало однозначно, что
"формирователя смещения подложки на кристалле нет".
Нет, не следил. Это значит что -5 вообще подключать к 580 ненадо или что?...
Я тут за главного - если что шлите мыло на me собака shaos точка net
Ну прочитай на досуге как-нибуть: http://zx-pk.ru/showthread.php?t=23349
Там минут на 35, если по существу. А то как-то не с руки мне заниматься пересказом.
Shaos wrote:Это значит что -5 вообще подключать к 580 ненадо или что?...
Это значит, что из тех 258 транзисторов, что меня заинтересовали, в формирователях
смещения на кристалле не задействован ни один.
Поскольку таких формирователей там просто нет.
Подложка общая для всей микросхемы (кристалла). Обычно она с p-проводимостью. Стоки и истоки n-канальных МОП транзисторов это небольшие области с n-проводимостью. Подавая на подложку напряжение ниже самого
низкого напряжения в самой схеме обеспечивается надёжное запирание получившихся p-n переходов и, таким
образом, изоляция транзисторов друг от друга. Кстати, -5В избыточно, вполне хватило бы напряжения ниже кремниевых -0,7В, например -1,0В.
viv-pm wrote:Подавая на подложку напряжение ниже самого низкого напряжения в самой схеме обеспечивается надёжное запирание получившихся p-n переходов и, таким образом, изоляция транзисторов друг от друга.
Интересно... А когда -5В не подают на КР580ВМ80А (выше упоминали, что он может работать без "-"),
что тогда обеспечивает "изоляцию транзисторов друг от друга"?