nedoPC.org

Community of electronics hobbyists established in 2002

...
Atom Feed | View unanswered posts | View active topics It is currently 13 Nov 2019 12:18



Reply to topic  [ 21 posts ]  Go to page Previous  1, 2
Полный реверс-инжиниринг КР580ВМ80А / i8080 
Author Message
Novelist

Joined: 17 Mar 2015 22:54
Posts: 31
Reply with quote
Может быть и ничего, а может и микросхемотехника. Например, в "высококачественной МОП" (HMOP) вокруг транзисторов появилось охранное кольцо, в КМОП уже стандартное.


27 Dec 2016 07:08
Profile
Doomed

Joined: 08 Apr 2013 05:04
Posts: 449
Location: 213.247.249.139
Reply with quote
viv-pm wrote:
Подложка общая для всей микросхемы (кристалла). Обычно она с p-проводимостью. Стоки и истоки n-канальных МОП транзисторов это небольшие области с n-проводимостью. Подавая на подложку напряжение ниже самого
низкого напряжения в самой схеме обеспечивается надёжное запирание получившихся p-n переходов и, таким
образом, изоляция транзисторов друг от друга. Кстати, -5В избыточно, вполне хватило бы напряжения ниже кремниевых -0,7В, например -1,0В.


Меня вот какой вопрос интересует. Если мы на подложку подаём -5в, не эквивалентно ли это подаче на все затворы +5в? Ну т.е. не образуются ли под всеми транзисторами проводящие каналы в этом случае? В книжках разных рассказывают, как образуется проводящий канал (по сути, настолько сильное эл. поле в p-подложку от конденсатора вкорячивается, что не только основные носители подложки уходят вглубь, но и неосновные появляются из-за искажения зон Ферми). Но почему-то всегда пишут про Uзи, а не Uзп. Вот тут у меня и непонятки.

Мне видится что-то вроде, как только индуцированный канал омически соединяется с островками стока-истока, которые тоже под потенциалом затвора (в случае подложка = -5в, остальные напряжения отключены), и под этим потенциалом канал тут же исчезает, покрмере около островков стока и истока. Но я не уверен, так как в книжках это подробно не проясняется.

_________________
привет засранцу лавру :)


27 Dec 2016 08:07
Profile
Doomed

Joined: 08 Apr 2013 05:04
Posts: 449
Location: 213.247.249.139
Reply with quote
Lavr wrote:
viv-pm wrote:
Подавая на подложку напряжение ниже самого низкого напряжения в самой схеме обеспечивается надёжное запирание получившихся p-n переходов и, таким образом, изоляция транзисторов друг от друга.
Интересно... А когда -5В не подают на КР580ВМ80А (выше упоминали, что он может работать без "-"),
что тогда обеспечивает "изоляцию транзисторов друг от друга"?

Может, из-за омического сопротивления несмещённой подложки, её участки при переключениях могут "подскакивать" и ёмкостной ток будет уходить в стоки-истоки через прямосмещённый p-n переход, что есть плохо по какой-то причине...

_________________
привет засранцу лавру :)


27 Dec 2016 08:08
Profile
Novelist

Joined: 17 Mar 2015 22:54
Posts: 31
Reply with quote
angry_troll wrote:
viv-pm wrote:
Подложка общая для всей микросхемы (кристалла). Обычно она с p-проводимостью. Стоки и истоки n-канальных МОП транзисторов это небольшие области с n-проводимостью. Подавая на подложку напряжение ниже самого
низкого напряжения в самой схеме обеспечивается надёжное запирание получившихся p-n переходов и, таким
образом, изоляция транзисторов друг от друга. Кстати, -5В избыточно, вполне хватило бы напряжения ниже кремниевых -0,7В, например -1,0В.


Меня вот какой вопрос интересует. Если мы на подложку подаём -5в, не эквивалентно ли это подаче на все затворы +5в? Ну т.е. не образуются ли под всеми транзисторами проводящие каналы в этом случае? В книжках разных рассказывают, как образуется проводящий канал (по сути, настолько сильное эл. поле в p-подложку от конденсатора вкорячивается, что не только основные носители подложки уходят вглубь, но и неосновные появляются из-за искажения зон Ферми). Но почему-то всегда пишут про Uзи, а не Uзп. Вот тут у меня и непонятки.

Мне видится что-то вроде, как только индуцированный канал омически соединяется с островками стока-истока, которые тоже под потенциалом затвора (в случае подложка = -5в, остальные напряжения отключены), и под этим потенциалом канал тут же исчезает, покрмере около островков стока и истока. Но я не уверен, так как в книжках это подробно не проясняется.


Поле затвора тащит неосновные носители прежде всего из истоковой области. Напряжение затвор-подложка конечно влияет на работу транзистора, но не так сильно, как напряжение затвор-исток.


28 Dec 2016 01:26
Profile
Supreme God
User avatar

Joined: 21 Oct 2009 09:08
Posts: 7777
Location: Россия
Reply with quote
viv-pm wrote:
Напряжение затвор-подложка конечно влияет на работу транзистора, но не так сильно, как напряжение затвор-исток.

Довольно нехило смещение на подложке сдвигает характеристику полевика.
На форуме уже была эта картинка, так что дублировать, пожалуй, не буду...

_________________
iLavr


28 Dec 2016 07:14
Profile
Supreme God
User avatar

Joined: 21 Oct 2009 09:08
Posts: 7777
Location: Россия
Reply with quote
antsnark wrote:
Quote:
реверс-инжениринг КР580ВМ80А полностью завершен. Получена полная принципиальная схема и Verilog-модель. В невероятно короткие сроки схему восстановил Vslav (1801ВМ1@gmail.com).
Оказалось, в КР580ВМ80А ровно 4758 транзисторов (а не 6000 или 4500, как иногда ошибочно упоминают).
Топология КР580ВМ80А похожа, но не идентична i8080. Тем не менее, отличий в реализации опкодов КР580ВМ80А не было обнаружено.

Давно я искал, и вот попался материал, как делал реверс-инжиниринг i8080 конструктор нашего
КР580ВМ80А - Альфред Витольевич Кобылинский:
https://www.epos.ua/view.php/pubs_computer_history_Ukraine_prophets1
Quote:
На западе писали, что в Советском Союзе потратили очень большие деньги на копирование этого процессора. Якобы советские инженеры снимали с INTELовского процессора слой за слоем и детально исследовали, повторяли. На самом деле то, что сделала команда Кобылинского, выглядело просто нереально и даже смешно, если бы не было настолько гениально.
Они просто раскололи (вдоль) корпус, взяли микроскоп с фотоаппаратом, и сделали 36 снимков разных секторов кристалла. Подбирали освещение кристалла под таким углом, чтобы было видно, где легирование «плюсовое», где «минусовое», где затвор, а где проводящий алюминий. Затем проявленную пленку просто зарядили в детский фильмоскоп и проецировали изображение на большой кусок миллиметровки так, чтобы 5 микронов на пленке соответствовали пяти сантиметрам на экране. И дальше просто обводили каждый кадр цветными карандашами. Красным - легированную р- область. Синим - легированную n- область. А зеленым - металлизацию. Затем просто склеили из обрисованных кадров большую бумажную простыню и передали ее моделистам. У них на ЭВМ БЕСМ6 - были созданы мощные системы моделирования. На этой ЭВМ они пересчитали режимы работы всех транзисторов и спроектировали процессор по отечественной топологической норме!
При этом, вот что происходило. Во время моделирования на БЕСМ6 - они определили, что несколько транзисторов работают не просто неправильно, а близко к режиму перегрузки. Они эту недоработку исправили, вывели транзисторы на нормальный режим, а первый экземпляр процессора у них сразу заработал!
Они и питание процессора изменили и тактовую частоту. У них процессор работал пять плюс пять и с нулевой подложкой. Короче получили результат лучший, чем у INTEL. Было видно, что американцы торопились с выпуском этого процессора, поэтому у них и оставались недоделки. А наши их устранили.
В итоге, киевский кристалл процессора получился больше по размерам, чем исходный, но зато значительно дешевле. Американцы делали свой процессор на технологическом пределе того времени. А украинцы сделали на том, что было доступно. Главное – что это был функциональный аналог американского процессора, а не топографический. Тот есть он был не содран один к одному, а переосмыслен и по-новому спроектирован. Поэтому и оказался со всех сторон очень удачным.

_________________
iLavr


04 Nov 2019 20:21
Profile
Display posts from previous:  Sort by  
Reply to topic   [ 21 posts ]  Go to page Previous  1, 2

Who is online

Users browsing this forum: No registered users and 1 guest


You cannot post new topics in this forum
You cannot reply to topics in this forum
You cannot edit your posts in this forum
You cannot delete your posts in this forum
You cannot post attachments in this forum

Search for:
Jump to:  
Powered by phpBB® Forum Software © phpBB Group
Designed by ST Software.