nedoPC.org

Community of electronics hobbyists established in 2002

...
Atom Feed | View unanswered posts | View active topics It is currently 23 Nov 2020 16:00



Reply to topic  [ 14 posts ] 
Троичная ячейка памяти? Интересно обсудить 
Author Message
Writer

Joined: 08 May 2020 08:22
Posts: 11
Reply with quote
Здравствуйте.

Создать эту тему меня сподвигло три фактора (как собственно и зарегистрироваться на этом форуме), далее по пунктам:

1) Прочтение замечательной статьи на всем небезызвестном ресурсе Хабр, а именно: Разработка и производство троичных микросхем на обычном техпроцессе CMOS.
2) Давно вынашиваю идею которую все никак не могу проверить (суть раскрываю в содержании темы).
3) Собственно интерес обсудить описываемую идею. Возможно, что данный материал кого-то сподвигнет на другие/иные не менее интересные мысли, которые в последствии могут привести к созданию оригинального радиоэлемента/схемы/устройства.

Итак, начнем:

Справедливо оговориться заранее, что данная тема затрагивает область науки изучающей феромагнетики и их свойства в частности. Но не стоит пугаться, возможно кто-то сделает поспешные вывод и предположит, что я пытаюсь обсудить такое запоминающее устройство как [url=https://ru.wikipedia.org/wiki/Память_на_магнитных_сердечниках]память на магнитных сердечниках[/url] (в классическом ее представлении), но поспешу Вас обрадовать, - Нет! Хотя отсылки к ней, мы будем использовать в этой теме неоднократно.

Большинство участников данного форума более/менее (а кто-то и подробно) представляют себе устройство двоичной памяти, и понимают проблемы представления состояния троичного сигнала на кристалле (который по сути состоит из дискретных элементов кремния), в конечном счете приводящие к тому же двоичному представлению информации, по какой бы архитектуре эти кристаллы не были бы выполнены!

Предлагаемое автором устройство (элемент) в теории должен быть лишен классических недостатков представления троичной информации в ячейке памяти. Конструктивное исполнение описываемого устройства оригенально (по крайней мере поиск по патентным базам, за достаточно длинный промежуток времени, не дал абсолютно никаких результатов по конкретному способу/полезной модели и т.д). Само по себе устройство как радиотехнический элемент (компонент), возможно потребует наукоемких исследований в области ферромагнетиков, магнетизма, да и электротехнических изысканий в целом.

Суть (не будем разводить [url=https://ru.wikipedia.org/wiki/Тавтология_(риторика)]тавтологию[/url]):

Все знают, что такое [url=https://ru.wikipedia.org/wiki/Электрический_конденсатор]конденсатор[/url]. Емкость C есть способность конденсатора принять (накопить и удержать) количество электричества Q в ампер-секундах, заряд Q в кулонах. Зависимость между зарядом Q и напряжением U на обкладках конденсатора, выражается формулой:

Code:
(1) Q=C∙U


Постоянная пропорциональности C называется емкостью.

Сам конденсатор представляет собой пару металлических пластин (обкладок) находящихся на определенном расстоянии друг от друга. Изобразим простейший конденсатор:

Image
Рисунок 1. Простейший конденсатор.

Где:

w - ширина пластины (м);
h - высота пластины (м);
d - расстояние между пластинами (м);
S - площадь пластины конденсатора (м^(2)).

В данном случае диэлектриком конденсатора является воздух, и емкость соответственно находится по формуле:

Code:
(2) C=(ε0∙ε∙S)/d


Где:

C - емкость конденсатора (Ф);
ε0 - диэлектрическая постоянная, или диэлектрическая проницаемость вакуума (ε0=8,859∙10^(-12) Ф/м);
ε - диэлектрическая проницаемость диэлектрика (в данном случае проницаемость воздуха);
S - площадь одной обкладки конденсатора (м^(2));
d - расстояние между обкладками (м).

Известно, что конденсатор заряжается по закону:

Image
Рисунок 2. Графики напряжения и тока при заряде конденсатора.

Более подробно можно посмотреть: Заряд и разряд конденсатора.

Опираясь на формулу (2) не сложно понять, что емкость на прямую зависит от диэлектрической проницаемости диэлектрика конденсатора. Изобразим конденсатор между пластинами которого находится диэлектрик с высокой диэлектрической проницаемостью:

Image
Рисунок 3. Конденсатор с диэлектриком.

Его емкость также находится по формуле (2).

Казалось бы, ну понятно, и что из этого. А теперь давайте подумаем:

Image
Рисунок 4. Воздействие магнитным полем (потоком) на конденсатор (диэлектрик).

1) Как поведет себя конденсатор (его заряд в частности) если мы начнем воздействовать на диэлектрик магнитным полем (потоком), с трех сторон "поляризации" x, y и z?
2) Поменяется ли его поляризация с пластины на пластину (с положительной на отрицательную, и наоборот). Т.е. сможем ли мы переместить заряд магнитным полем?
3) Изменит ли свои свойства диэлектрик, а соответственно и свою диэлектрическую проницаемость, и как следствие емкость?

Казалось бы вопросы понятны, можно и поэкспериментировать, но что толку... Все равно не ясно как хранить состояние троичной информации...
А давайте взглянем на следующую картинку (еще более интересную в техническом плане):

Image
Рисунок 5. Конденсаторный куб Threecitor (трицитор). Пусть так будет называться)

По сути просто куб из 6 пластин (обкладок) которые в точках соприкосновения друг с другом, разделены изолирующим слоем (или частью диэлектрика). Изобразим для понимания:

Image
Рисунок 6. Threecitor в простом представлении.

Такая конструкция обладает интересными свойствами. Дело в том, что как мы видим из рисунка 6 расстояние между пластинами (обкладками) одного из трех конденсаторов, равно ширине (ровно также как и высоте) пластины. А что это дает? А дает это то, что емкость при таких условиях (каким бы не был трицитор) всегда постоянна!!! И равна значению: ...... Ф.

Но что это дает? А дает это то (на мой "беглый" взгляд), что при таких условиях мы може реализовать трицитор практически любого размера, например: со сторонами 1x1x1 (мм), соответственно.

Уже интереснее, не правда ли)

Попробуем добавить в такой трицитор диэлектрик и повоздействовать на него магнитным полем как в рисунке 4. Да к тому же в качестве диэлектрику пусть у нас выступает феррит...

Image
Рисунок 7. Threecitor с диэлектриком (диэлектрик специально нарисован больше, чтобы иметь представление).

Кто то справедливо заметит, что феррит температурно-нестабильный материал по своим свойствам. И я соглашусь с этим, но давайте посмотрим в сторону аморфных нанокристаллических сплавов, которые по своим свойствам являются уникальными материалами, которые практически не изменяют свои параметры достаточно широком диапазоне температур, от -60 до +85 градусов цельсия это точно!

Image
Рисунок 8. Вариант исполнения катушек на Threecitor-е.

Image
Рисунок 9. Вариант исполнения катушек на Threecitor-е в случае микро исполнения.

Стоит отметить, что я пытаюсь обратить внимание на возможность сочетания как емкостных свойств, индуктивных, так и свойств ферромагнетиков в частности. Самое интересное можноли "футболить" заряд с одной обкладки на другую??? Ровным счетом как и инвертировать, т.е. в таком случае значение NOT не просто нот, а именно можно построить инверсию трита информации именно как (-, 0, +)... По сути получается Ternary Core Memory своего рода...

Как-то так)... А как Вы думаете: Сколько состояний можно хранить в таком трициторе/кубе??? Интересно было бы услышать Ваше мнение по данному вопросу.

p.s. Представленные в сообщении схемы, рисунки, структуры и таблицы, а также доводы автора могут быть неточны или неполны. Приводятся для представления материала, и отражают общий вид, структуру и функциональность устройства (радиоэлемента). Мной приветствуется соавторство в патентном изыскании, как автора (представителя) полезной модели.

Всех с праздником!


Спасибо,
с уважением.

_________________
«Всякое изменение, которое никому не приносит убытков, а некоторым людям приносит пользу (по их собственной оценке), является улучшением»
(с) критерий социальной эффективности Парето.


Last edited by zhogar on 09 May 2020 10:41, edited 1 time in total.



09 May 2020 10:10
Profile
Supreme God
User avatar

Joined: 21 Oct 2009 09:08
Posts: 7777
Location: Россия
Reply with quote
В современной flash-памяти, насколько я знаю, и так умеют хранить несколько уровней сигнала.

_________________
iLavr


09 May 2020 10:38
Profile
Writer

Joined: 08 May 2020 08:22
Posts: 11
Reply with quote
Lavr wrote:
В современной flash-памяти, насколько я знаю, и так умеют хранить несколько уровней сигнала.

Да, Вы правы. Один из множества вариантов. Но дело в том что это уровни сигнала. А я имею введу дискретное хранение трита (но не двоичное представление), - как вытекающее из сути описываемого устройства. И что самое важное - не хранение уровней.

_________________
«Всякое изменение, которое никому не приносит убытков, а некоторым людям приносит пользу (по их собственной оценке), является улучшением»
(с) критерий социальной эффективности Парето.


09 May 2020 12:54
Profile
Supreme God
User avatar

Joined: 21 Oct 2009 09:08
Posts: 7777
Location: Россия
Reply with quote
zhogar wrote:
Но дело в том что это уровни сигнала. А я имею введу дискретное хранение трита (но не двоичное представление), - как вытекающее из сути описываемого устройства. И что самое важное - не хранение уровней.

Если у нас потенциальная логика, то мы и храним именно уровни сигнала.
Именно три различных уровня, (но не двоичное представление) - здесь у нас это "табу".

А вот фраза:
Quote:
дискретное хранение трита (но не двоичное представление), - как вытекающее из сути описываемого устройства
напоминает "сферического коня в вакууме" - это во-первых,
а во вторых с тех пор как разработали кубы памяти на многоотверстных ферритовых пластинах
Image
пришли к закономерному выводу, что индуктивные элементы в интегральной технологии плохо поддаются
миниатюризации, следовательно, перспективы не имеют.

И пузырьковая память этот вывод наглядно подтвердила.

_________________
iLavr


09 May 2020 15:18
Profile
Writer

Joined: 08 May 2020 08:22
Posts: 11
Reply with quote
Интересно было бы поэкспериментировать с этим: Найдено вещество с гигантским значением диэлектрической проницаемости.

_________________
«Всякое изменение, которое никому не приносит убытков, а некоторым людям приносит пользу (по их собственной оценке), является улучшением»
(с) критерий социальной эффективности Парето.


10 May 2020 14:34
Profile
Supreme God
User avatar

Joined: 21 Oct 2009 09:08
Posts: 7777
Location: Россия
Reply with quote
Я внимательно почитал еще раз весь материал с красивыми картинками, чтобы однозначно понять, "где тут собака порылась",
или где Штирлиц "припрятал чемодан с пальчиками радистки Кэт"... :wink:

Вся "покупка" начинается вот с этого момента:
zhogar wrote:
1) Как поведет себя конденсатор (его заряд в частности) если мы начнем воздействовать на диэлектрик магнитным полем (потоком), с трех сторон "поляризации" x, y и z?
Это зависит от диэлектрика, если диэлектрик таков, что его Эпсилон изменяется под действием магнитного поля, то ёмкость конденсатора изменится согласно приведенной формуле.
Если конденсатор никуда не подключен (нет утечек), его заряд никуда не денется.
Изменится падение напряжения на конденсаторе, тоже, согласно приведенной выше формуле.

zhogar wrote:
2) Поменяется ли его поляризация с пластины на пластину (с положительной на отрицательную, и наоборот). Т.е. сможем ли мы переместить заряд магнитным полем?
Вот "поляризация с пластины на пластину" - термин странный какой-то, но если имеется в виду именно "сможем ли мы переместить заряд магнитным полем?" - однозначно НЕТ.
А вот при сильном магнитном поле, пожалуй, можем переместить сами пластины с зарядом. :wink:

zhogar wrote:
3) Изменит ли свои свойства диэлектрик, а соответственно и свою диэлектрическую проницаемость, и как следствие емкость?
Опять же - это видоизмененный первый вопрос: смотря какой диэлектрик и какие свойства, кроме диэлектрической проницаемости интересуют.
Про изменение диэлектрической проницаемости в конденсаторе сказано в ответе на п.1)

Таким образом, физических предпосылок по созданию хранилища "состояния троичной информации" явно не наблюдается.
Сам термин "состояние троичной информации" тоже некорректен, но единственное, что мы очевидно
храним - это заряд конденсатора, который никуда не подключен.

_________________
iLavr


10 May 2020 14:38
Profile
Writer

Joined: 08 May 2020 08:22
Posts: 11
Reply with quote
Еще как вариант трицитора, тоже интересно каковы будут его свойства (характеристики):
Attachment:
File comment: Super Threecitor
Super Threecitor.png
Super Threecitor.png [ 1.79 KiB | Viewed 1626 times ]

Рисунок 10. Другой вариант исполнения трицитора.

Где каждая из сторон есть обкладка конденсатора, соответственно.
К тому же допустим попробовать каждую из обкладок исполнить из разных материалов: одна металл, другая феррит, третья кремний и т.д., сочетания в общем...

Ну или как вариант (в простейшем представлении) чисто для ферритовой ячейки:
Attachment:
Ferrite memory.png
Ferrite memory.png [ 3.66 KiB | Viewed 1623 times ]

Рисунок 11. Ферритовый куб Threeductor (тридуктор). Пусть тоже так будет называться)

Attachment:
Threeductor.png
Threeductor.png [ 5.03 KiB | Viewed 1587 times ]

Рисунок 11.1 Другой вариант тридуктора. Где под цветными стержнями в "простейшем случае" подразумевается феррит, а L1-L6 обмотки, соответственно.

Quote:
>>Вся "покупка" начинается вот с этого момента:


Я бы и сам проверил, если бы у меня были приборы, такие как осцилограф и генератор сигналов.
Quote:
Если бы я хотел что-то поиметь с этого...

Точнее будет сказать: если бы я хотел услышать мнения специалистов (касаемо представленного ваше) по поводу элемента радиосхемы.
Я бы не создавал тему на этом форуме, а создал ее к примеру на easyelectronics. Интересно именно обсудить как хранить трит информации (в ОЗУ) не прибегая к классическому двухбитному представлению, и как следствие к классическим архитектурным решениям. Поэтому создал тему именно на этом форуме.

По мимо этого... Как было уже сказано мной в первом топике этой темы:
Quote:
Стоит отметить, что я пытаюсь обратить внимание на возможность сочетания как емкостных свойств, индуктивных, так и свойств ферромагнетиков в частности.

Поэтому:
Quote:
Как поведет себя конденсатор (его заряд в частности) если мы начнем воздействовать на диэлектрик магнитным полем (потоком), с трех сторон "поляризации" x, y и z?

Не последнее что стоило бы проверить, а именно:

Как поведет себя феррит или другой ферромагнитный материал, в данном случае: изменит ли он свои ферромагнитные свойства (речь в первую очередь о магнитной проницаемости), если будет выступать именно в качестве диэлектрика, т.е. принимать заряд (поляризацию)... Сможем ли мы изменить индуктивность участка, где воздействуем зарядом, если можно так сказать...

А если в качестве материала диэлектрика выступит кремний (его сплавы, которые обладали бы некими ферромагнитными или диэлектрическими свойствами), и при воздействии на такой материал магнитным или электрическим полем, он менял те или иные характеристики (как следствие обладал уникальными свойствами). И т.д. и т.п...

А если это еще все с вариантами конструктивных сочетаний... И т.д. и т.п. Вот о чем основная речь! А со Штирлицем я не знаком) уж не знаю к счастью или к сожалению...

Я лишь дал пищу для размышления, не более того, и поэтому оговорился ранее:
Quote:
Представленные в сообщении схемы, рисунки, структуры и таблицы, а также доводы автора могут быть неточны или неполны. Приводятся для представления материала, и отражают общий вид, структуру и функциональность устройства (радиоэлемента).


Спасибо.

_________________
«Всякое изменение, которое никому не приносит убытков, а некоторым людям приносит пользу (по их собственной оценке), является улучшением»
(с) критерий социальной эффективности Парето.


Last edited by zhogar on 11 May 2020 07:35, edited 3 times in total.



10 May 2020 15:17
Profile
Admin
User avatar

Joined: 09 Jan 2003 00:22
Posts: 18964
Location: Silicon Valley
Reply with quote
zhogar wrote:
Интересно именно обсудить как хранить трит информации (в ОЗУ) не прибегая к классическому двухбитному представлению, и как следствие к классическим архитектурным решениям.

Ну вот примерно так хранить: http://www.nedopc.org/forum/viewtopic.php?p=118175#p118175 (там всё честно троичное - ничего двухбитного)

_________________
:eugeek: https://twitter.com/Shaos1973


10 May 2020 19:43
Profile WWW
Writer

Joined: 08 May 2020 08:22
Posts: 11
Reply with quote
Shaos wrote:
zhogar wrote:
Интересно именно обсудить как хранить трит информации (в ОЗУ) не прибегая к классическому двухбитному представлению, и как следствие к классическим архитектурным решениям.

Ну вот примерно так хранить: http://www.nedopc.org/forum/viewtopic.php?p=118175#p118175 (там всё честно троичное - ничего двухбитного)

Интересное решение.

Вопрос к участникам форума:
У кого есть RLC-метр, осцилограф (трех канальный) и генератор сигнала (двух канальный), могли бы проверить кое что, а именно:
Собрать такой трицитор из обычных 6-ти квадратных токопроводящих пластин, например 1x1 см, соответственно. Стоит обратить внимание, что в качестве диэлектрика будет выступать воздух, а в местах стыковки пластин они должны быть отделены тонким слоем изолятора, - лакотканью например, или еще чем...

1) Замерить емкости противоположных пластин, и сравнить с расчетной.
2) Подключить по такой схеме:
Attachment:
File comment: Рисунок 12. Эксперимент 1, с простейшим трицитором.
Measuring 1.png
Measuring 1.png [ 8.48 KiB | Viewed 1602 times ]

Рисунок 12. Эксперимент 1, с простейшим трицитором.

Где на выходе генератора каналы 1 и 2 подавать частоту синусоидальных колебаний, различных частот, амплитуд и т.д. (вариации).
А на входе осцилографа смотреть результат снимая значения с R3 и подовая на вход осцилографа.

Интересно узнать (понять), какая форма сигнала получится на входе 3, осцилографа Канал 3.

1) Что это будет. Сложение сигнала каналов 1 и 2 генератора? разность?
2) И какого будет смещение по фазе? Форма сигнала? Ну и т.д...

p.s. Возможно входы 1 и 2 осциллографа придется гальванически развязать разделительным конденсатором, для чистоты эксперимента, т.е. уменьшение влияние параметров этих входов на сам трицитор, - в разрыв одного из двух проводников, каналов 1 и 2. На схеме не указанно.

Ну или как вариант еще: не будет ли такая схема является усилительной???
Attachment:
File comment: Рисунок 13. Эксперимент 2, с простейшим трицитором.
Measuring 2.png
Measuring 2.png [ 9.12 KiB | Viewed 1593 times ]

Рисунок 13. Эксперимент 2, с простейшим трицитором.

p.s. Если думать по аналогии с индуктивностью, то возникает вопрос: Будит ли иметь (имеет ли) такое устройство, а в частности его диэлектрик, - гистерезисную модель какой либо из своих характеристик, за счет определенных свойств. Если да, то как корректно замерить (снять) такие параметры, по какой схеме?

_________________
«Всякое изменение, которое никому не приносит убытков, а некоторым людям приносит пользу (по их собственной оценке), является улучшением»
(с) критерий социальной эффективности Парето.


11 May 2020 05:47
Profile
Writer

Joined: 08 May 2020 08:22
Posts: 11
Reply with quote
Написал тут на почту одному хорошему человеку, с просьбой поучаствовать в обсуждении. К сожалению он не сможет участвовать в обсуждении темы, но зато предложил следующие (может кому будет интересно):
Quote:
По предложенной Вами идее могу сказать, что если использовать нанокристаллин, то он будет обладать хорошими ферромагнитными свойствами, но очень плохими диэлектрическими. А почему не использовать Вашу идею, но в плане 3-D конденсатора? Поляризацию диэлектрика конденсатора можно представить, как вращении диполя под действием электрического поля. Но диполь двумерный. Если он будет поворачиваться в плоскости, например, X-Y, то он уже не охватит плоскость X-Z и т.д. Таким образом, зарядив конденсатор в плоскости X-Y мы получим состояние, например "-1", когда мы подадим напряжение на пластины в плоскости X-Z, то заряд из X-Y исчезнет, но появится в X-Z, а это может быть значением "+1". При разрядке конденсатора во всех плоскостях мы получим "0". Три состояния.

Еще идея. Для хранения использовать два классических конденсатора с одной общей обкладкой, относительно которой они будут заряжаться.
В одном из них хранятся отрицательные значения напряжения, а во втором -- положительные. Давайте проверим.
Например, в первом хранится -5В, а во втором +5В. Если подсчитать их сумму, а это должен будет делать некий компаратор, то это будет ноль. Если оставить в первом -5В, а во втором ноль, то в сумме это будет -5В, если оставить +5В во втором, то в сумме это даст +5В. Если и в первом и во втором ноль, то в сумме также -- ноль. Получили три состояния.

Quote:
По магнитному полю скажу, что это поле действует на заряд только, если тот находится в движении. Здесь можно вспомнить ламповые кинескопы, где магнитная система отклонения направляла электронный луч.
С ферромагнетиками ситуация интересная. Там, чем выше содержание железа, тем выше магнитная проницаемость и все остальные магнитные свойства, но пропорционально хуже свойства диэлектрические. Например, стандартный сердечник 400НМ для советских приёмников (ферритовый стержень) довольно хорошо работал с магнитной составляющей эл/магнитных КВ и СВ волн, но являлся электрическим проводником, а значит, отвратительным диэлектриком. Современные мета материалы типа метгласа также являются проводниками и не подойдут для конденсатора. Могу ошибаться, ответ поэтому такой: из ферромагнетика выйдет очень плохой конденсатор, либо, если в нём будет небольшое содержание железа -- плохой магнетик.

_________________
«Всякое изменение, которое никому не приносит убытков, а некоторым людям приносит пользу (по их собственной оценке), является улучшением»
(с) критерий социальной эффективности Парето.


12 May 2020 10:22
Profile
Supreme God
User avatar

Joined: 21 Oct 2009 09:08
Posts: 7777
Location: Россия
Reply with quote
Quote:
Поляризацию диэлектрика конденсатора можно представить, как вращении диполя под действием электрического поля. Но диполь двумерный. Если он будет поворачиваться в плоскости, например, X-Y, то он уже не охватит плоскость X-Z и т.д. Таким образом, зарядив конденсатор в плоскости X-Y мы получим состояние, например "-1", когда мы подадим напряжение на пластины в плоскости X-Z, то заряд из X-Y исчезнет, но появится в X-Z, а это может быть значением "+1".

Вот это очень сомнительное утверждение с точки зрения физики. :-?
Диэлектрик, если он хороший, то все эти вращения влияют только на токи смещения.
Если диэлектрик плохой, то через него будет утечка заряда...

А так, чтобы если заряд был на одних пластинах, а в результате поляризации или чего другого
ЭТОТ заряд ПЕРЕМЕСТИЛСЯ на другие пластины - это, на мой взгляд, ИЗ ОБЛАСТИ ФАНТАСТИКИ!

Либо терминология в описании физических процессов здесь не совсем корректная...


P.S. Посмотрел в Гугл:
Quote:
...если использовать нанокристаллин

Гугл пишет, что "нанокристаллин" - это декоративная краска "ALURE CRYSTALLINE NANO"...

_________________
iLavr


13 May 2020 17:17
Profile
Writer

Joined: 08 May 2020 08:22
Posts: 11
Reply with quote
Касаемо первого топика:
Quote:
А дает это то, что емкость при таких условиях (каким бы не был трицитор) всегда постоянна!!!

Тут я ошибся, прощу прощения. Постоянной емкости при любых размерах не получится, это видно из формулы (2), если произвести несложные преобразования, получим следующую формулу:
Code:
(3) C=ε0∙ε∙d

Для трицитора с равными сторонами, параметр d, может быть заменен на w или h.

_________________
«Всякое изменение, которое никому не приносит убытков, а некоторым людям приносит пользу (по их собственной оценке), является улучшением»
(с) критерий социальной эффективности Парето.


17 May 2020 03:00
Profile
Writer

Joined: 08 May 2020 08:22
Posts: 11
Reply with quote
Интересная технология:
Attachment:
2020-05-17_12-23-08.png
2020-05-17_12-23-08.png [ 252.53 KiB | Viewed 1444 times ]

Attachment:
2020-05-17_12-23-44.png
2020-05-17_12-23-44.png [ 177.07 KiB | Viewed 1444 times ]

Attachment:
2020-05-17_12-24-10.png
2020-05-17_12-24-10.png [ 123.88 KiB | Viewed 1444 times ]

_________________
«Всякое изменение, которое никому не приносит убытков, а некоторым людям приносит пользу (по их собственной оценке), является улучшением»
(с) критерий социальной эффективности Парето.


17 May 2020 03:48
Profile
Admin
User avatar

Joined: 09 Jan 2003 00:22
Posts: 18964
Location: Silicon Valley
Reply with quote
zhogar wrote:
Интересная технология...
Было тут http://www.nedopc.org/forum/viewtopic.php?f=39&t=10229&hilit=bubble - там выше Lavr давал ссылку:
Lavr wrote:
...
пришли к закономерному выводу, что индуктивные элементы в интегральной технологии плохо поддаются
миниатюризации, следовательно, перспективы не имеют.

И пузырьковая память этот вывод наглядно подтвердила.
и тут http://www.nedopc.org/forum/viewtopic.php?f=87&t=10886&hilit=bubble

_________________
:eugeek: https://twitter.com/Shaos1973


17 May 2020 08:36
Profile WWW
Display posts from previous:  Sort by  
Reply to topic   [ 14 posts ] 

Who is online

Users browsing this forum: No registered users and 6 guests


You cannot post new topics in this forum
You cannot reply to topics in this forum
You cannot edit your posts in this forum
You cannot delete your posts in this forum
You cannot post attachments in this forum

Search for:
Jump to:  
Powered by phpBB® Forum Software © phpBB Group
Designed by ST Software.