Корректно ли сравнивать пластины с ЦМД прошлого века и структуры современной DRAM, если многократно уменьшились топологические нормы ? Надо сравнивать с зарубежными вариантами КР565РУ6/КР565РУ5.angry_troll wrote:При нынешних размерах транзисторов сбои DRAM стали рутинным явлением... А в флеше и вовсе не гарантируется отсутствие сбоев -- прямо с завода битые сектора.А как дела у ЦМД с этим обстояли?
микросхемы памяти ЦМД
Moderator: Shaos
-
- Senior
- Posts: 165
- Joined: 25 Jan 2015 11:38
- Location: 109.225.59.224
Re: микросхемы памяти ЦМД
Просто Александр.
-
- Fanat
- Posts: 83
- Joined: 05 Jun 2014 03:27
- Location: Екатеринбург
Re: микросхемы памяти ЦМД
Грубая оценка надежности ЦМД-микросборки емкостью 256 Кбит:
"In a 256K memory under normal operating conditions, one failure every few operating hours is well within the order magnitude of expected failures. These failures, however, will increase markedly at high or low temperatures, several thousand times this normal operating failure rate may occur at operating temperature extremes."
Перевод:
"В нормальных условиях эксплуатации один отказ ЗУ на ЦМД емкостью 256 Кбит в течение нескольких часов работы находится вполне в пределах ожидаемой частоты появления сбоев. Однако, эти отказы заметно увеличатся при высоких или низких температурах. При экстремальных значениях рабочей температуры нормальная операционная интенсивность отказов может увеличится в несколько тысяч раз."
Источник:
US Pat. No. 4,216,541 "Error repairing method and apparatus for bubble memories" Clover R.B., Miller G.J. (Intel Magnetics Inc.)
"In a 256K memory under normal operating conditions, one failure every few operating hours is well within the order magnitude of expected failures. These failures, however, will increase markedly at high or low temperatures, several thousand times this normal operating failure rate may occur at operating temperature extremes."
Перевод:
"В нормальных условиях эксплуатации один отказ ЗУ на ЦМД емкостью 256 Кбит в течение нескольких часов работы находится вполне в пределах ожидаемой частоты появления сбоев. Однако, эти отказы заметно увеличатся при высоких или низких температурах. При экстремальных значениях рабочей температуры нормальная операционная интенсивность отказов может увеличится в несколько тысяч раз."
Источник:
US Pat. No. 4,216,541 "Error repairing method and apparatus for bubble memories" Clover R.B., Miller G.J. (Intel Magnetics Inc.)
-
- God
- Posts: 1343
- Joined: 13 Nov 2010 04:06
Re: микросхемы памяти ЦМД
Как известно (или, по крайней мере, общепринято), критерий истины - опыт. Если с РАМой дела так плохи (порядка ошибки в день), предлагаю заинтересованным лицам запустить на доступных компах на пару суток Мемтест. Лично я неоднократно так пробовал, и ни разу (т. е. ни одного раза!) не обнаруживал ни одной ошибки в исправных модулях памяти, хотя некоторые модули тестировались по несколько суток. Лично я думаю, что где-то "британские учёные" из Гуголя слегка наврали, ну, или память у них была с упавшего на грунт "Фобоса".
Все эти страшилки, опять таки, вполне могли быть удушены развитием технологии. Уверен, что при считывании с поверхности магнитного диска ошибок больше на порядки, чем при работе ОЗУ, но запись избыточной информации для автоматической коррекции ошибок вполне может уравнять конечные результаты. Не вижу причин (кроме экономических), чтобы ЦМД не была бы столь же надёжна, как ПП память. Как известно, отнюдь не всегда лучшие решения воплощаются в реально продаваемые изделия, качество в коммерческом успехе вообще в первую десятку требований входит?
Вообще, как мне кажется, слепое копирование западного пути в развитии отечественной вычислительной техники было фатальной ошибкой. Если бы пошли своим путём, имели бы шанс быть лучшими. Если копировать чужое, такого шанса нет.
Все эти страшилки, опять таки, вполне могли быть удушены развитием технологии. Уверен, что при считывании с поверхности магнитного диска ошибок больше на порядки, чем при работе ОЗУ, но запись избыточной информации для автоматической коррекции ошибок вполне может уравнять конечные результаты. Не вижу причин (кроме экономических), чтобы ЦМД не была бы столь же надёжна, как ПП память. Как известно, отнюдь не всегда лучшие решения воплощаются в реально продаваемые изделия, качество в коммерческом успехе вообще в первую десятку требований входит?
Вообще, как мне кажется, слепое копирование западного пути в развитии отечественной вычислительной техники было фатальной ошибкой. Если бы пошли своим путём, имели бы шанс быть лучшими. Если копировать чужое, такого шанса нет.
-
- Doomed
- Posts: 449
- Joined: 08 Apr 2013 04:04
- Location: 213.247.249.139
Re: микросхемы памяти ЦМД
Хоть и оффтопик, но не согласен.VituZz wrote:Если бы пошли своим путём, имели бы шанс быть лучшими. Если копировать чужое, такого шанса нет.
Простой пример -- как гнобили сетунь. При специфическом совецком строе и экономике шанса стать лучшими (на весь мир, как сша стало) не было. Я так думаю.
привет засранцу лавру :)
-
- Admin
- Posts: 24095
- Joined: 08 Jan 2003 23:22
- Location: Silicon Valley
Re: микросхемы памяти ЦМД
Пару суток мало - надо с недельку гонять. И потом мемтест немного не то проверяет - он пишет и потом считывает из той же самой ячейки (ну или соседней - там несколько стратегий вроде, но суть таже), а тут сбой происходит в ячейке, которая была записана когда-то давно, т.е. тест должен заключаться в однократном заполнении памяти заранее известными значениями и дальнейшем ее циклическом считывании со сверкой и подсчётом обнаруженных ошибок...VituZz wrote:Как известно (или, по крайней мере, общепринято), критерий истины - опыт. Если с РАМой дела так плохи (порядка ошибки в день), предлагаю заинтересованным лицам запустить на доступных компах на пару суток Мемтест. Лично я неоднократно так пробовал, и ни разу (т. е. ни одного раза!) не обнаруживал ни одной ошибки в исправных модулях памяти, хотя некоторые модули тестировались по несколько суток. Лично я думаю, что где-то "британские учёные" из Гуголя слегка наврали, ну, или память у них была с упавшего на грунт "Фобоса".
Я тут за главного - если что шлите мыло на me собака shaos точка net
-
- God
- Posts: 1343
- Joined: 13 Nov 2010 04:06
Re: микросхемы памяти ЦМД
Shaos wrote:Пару суток мало - надо с недельку гонять. И потом мемтест немного не то проверяет - он пишет и потом считывает из той же самой ячейки (ну или соседней - там несколько стратегий вроде, но суть таже), а тут сбой происходит в ячейке, которая была записана когда-то давно, т.е. тест должен заключаться в однократном заполнении памяти заранее известными значениями и дальнейшем ее циклическом считывании со сверкой и подсчётом обнаруженных ошибок...
Сервера Гуголя хранят в ОЗУ неизменную информацию длительное время? Мне это кажется маловероятным. И Мемтест, насколько мне известно, не ограничивается проверкой лишь только записанной ячейки, а проверяет после каждой записи весь массив. По крайней мере, некоторые тесты именно по такому алгоритму работают.eduden wrote:Википедия:
Исследование, проведённое на большом количестве серверов Google показало, что количество ошибок может быть в пределах от 25 000 до 70 000 ошибок за миллиард рабочих часов (англ. device hours) на мегабит (то есть 2,5-7,0 × 10 в степени −11 ошибок / бит·час)
Допустим ОЗУ компа 4 Гигабайта. Умножаем: 7*10 в степени -11 на 4*10 в степени 9. Получаем 28*10 в степени -2.
Итак, 0,28 ошибок/час. За 8 часов работы = 0,28*8 = 2,2 ошибки в день. Это, что обыденное явление?
-
- Admin
- Posts: 24095
- Joined: 08 Jan 2003 23:22
- Location: Silicon Valley
Re: микросхемы памяти ЦМД
Но он проверяет кратковременный эффект от предыдущей записи т.е. окно возможностей слишком узко, чтобы космическая радиация могла в течение него успеть перекувырнуть битик в проверямых нескольких ячейках
Я тут за главного - если что шлите мыло на me собака shaos точка net
-
- Doomed
- Posts: 449
- Joined: 08 Apr 2013 04:04
- Location: 213.247.249.139
Re: микросхемы памяти ЦМД
Не согласен. Вероятность наступления сбоя в отдельном бите ДРАМы не зависит от того, сутки ли назад записали его или миллисекунду назад. Это как с радиоактивным распадом или люминесценцией например -- от предыстории не зависит.Shaos wrote: Пару суток мало - надо с недельку гонять.
Тут разделение имеет смысл только для случая 'работает с открытым рядом' -- 'дрочит разные ряды'. Ибо открытый ряд хранится уже не в конденсаторах драмы, а в латчах, и все записи с разными CAS-адресами идут в эти латчи, пока ряд не закрыли.И потом мемтест немного не то проверяет - он пишет и потом считывает из той же самой ячейки (ну или соседней - там несколько стратегий вроде, но суть таже), а тут сбой происходит в ячейке, которая была записана когда-то давно, т.е. тест должен заключаться в однократном заполнении памяти заранее известными значениями и дальнейшем ее циклическом считывании со сверкой и подсчётом обнаруженных ошибок...
И ещё, в драме есть рефреш -- он каждые немного миллисекунд переписывает все ряды. Получается, сбоев вовсе не должно быть

привет засранцу лавру :)
-
- Admin
- Posts: 24095
- Joined: 08 Jan 2003 23:22
- Location: Silicon Valley
Re: микросхемы памяти ЦМД
Но рефреш переписывает что прочитал - т.е. если битик уже испортился, то испорченный и запишется обратно
Я тут за главного - если что шлите мыло на me собака shaos точка net
-
- Doomed
- Posts: 449
- Joined: 08 Apr 2013 04:04
- Location: 213.247.249.139
Re: микросхемы памяти ЦМД
Вот ещё подумалось, на что именно действуют ТЗЧ в драме?
1. на собственно ячейки-конденсаторы, которые хранят инфу
2. на провода и гейты в логике
3. действуют на усилители чтения в момент собственно открытия ряда (имхо наиболее 'чуйствительное' и аналоговое место во всей драме).
Для п.1 есть независимость от предыстории.
для остальных -- сбой происходит именно в момент чтения (логика) или открытия ряда (чтение ряда в латчи). Так что тут применимо рассуждение 'реже дёргаем -- реже сбои'.
ps: может в отдельную тему, а то засрали тут все ЦМД всяким драмами и срамом
1. на собственно ячейки-конденсаторы, которые хранят инфу
2. на провода и гейты в логике
3. действуют на усилители чтения в момент собственно открытия ряда (имхо наиболее 'чуйствительное' и аналоговое место во всей драме).
Для п.1 есть независимость от предыстории.
для остальных -- сбой происходит именно в момент чтения (логика) или открытия ряда (чтение ряда в латчи). Так что тут применимо рассуждение 'реже дёргаем -- реже сбои'.
ps: может в отдельную тему, а то засрали тут все ЦМД всяким драмами и срамом

привет засранцу лавру :)
-
- Doomed
- Posts: 449
- Joined: 08 Apr 2013 04:04
- Location: 213.247.249.139
Re: микросхемы памяти ЦМД
Кстати наверняка уже запатентовано -- делать фикс ЕЦЦ в момент открытия ряда. Тогда и отдельно скруббинг (или как оно там называется) делать не надо, рефреш всегда молотитShaos wrote:Но рефреш переписывает что прочитал - т.е. если битик уже испортился, то испорченный и запишется обратно

привет засранцу лавру :)
-
- Admin
- Posts: 24095
- Joined: 08 Jan 2003 23:22
- Location: Silicon Valley
Re: микросхемы памяти ЦМД
ну можно наверное вот сюда прицепить, т.к. собственно про то же:angry_troll wrote:ps: может в отдельную тему, а то засрали тут все ЦМД всяким драмами и срамом
viewtopic.php?f=85&t=11314
Я тут за главного - если что шлите мыло на me собака shaos точка net
-
- Fanat
- Posts: 83
- Joined: 05 Jun 2014 03:27
- Location: Екатеринбург
Re: микросхемы памяти ЦМД
VituZz, а разве экономические причины - это не основа всего? Вспомним "Аналитическую машину" Чарлза Бэббиджа - первый в истории компьютер "на паровом двигателе". Мог ли Бэббидж закончить свой проект? Нет, скорее всего. Так же, как индусский царь Шерам не мог собрать столько пшеничных зернышек, сколько запросил мудрец с шахматной доски.VituZz wrote:Не вижу причин (кроме экономических), чтобы ЦМД не была бы столь же надёжна, как ПП память. Как известно, отнюдь не всегда лучшие решения воплощаются в реально продаваемые изделия, качество в коммерческом успехе вообще в первую десятку требований входит?
Мы тут уже упоминали «здравый смысл»: Зачем делать что-то сложно и дорого, если можно пойти другим путем и сделать и проще и дешевле? Военные тогда стремились создать энергонезависимую память, стойкую к нескольким последовательным ядерным взрывам, и вкладывали огромные деньги в тему ЗУ на ЦМД.
(Радиационная стойкость ЦМД-памяти: мощность экспозиционной дозы 10 в степени 12 Рентген в секунду). «А ларчик просто открывался» : берем энергозависимую статическую ОЗУ, запитываем ее от копеечного аккумулятора, все многократно резервируем – и дешево и сердито.
-
- Fanat
- Posts: 83
- Joined: 05 Jun 2014 03:27
- Location: Екатеринбург
Re: микросхемы памяти ЦМД
Я конечно Fanat ЦМД-памяти, но мой холодильник голосует против телевизора. 

-
- Fanat
- Posts: 83
- Joined: 05 Jun 2014 03:27
- Location: Екатеринбург
Re: микросхемы памяти ЦМД
Грубо сравним радиационную стойкость ЦМД-памяти и человека. Возьмем для примера радиационную стойкость ЗУ на ЦМД к ионизирующему излучению космического пространства:
ЗУ на ЦМД должна сохранять информацию и работоспособность после воздействия ионизирующего излучения космического пространства:
Поглощенная доза 5*10 в степени 4 (Дж/кг) = 5*10 в степени 4 (Грэй).
"Величина свыше 10 Грэй - считается абсолютно смертельной для человека."
Итак, 5*10 в степени 4 делим на 10, получаем, что такого уровня воздействия радиации хватит, чтобы уничтожить человека 5000 раз!
ЗУ на ЦМД должна сохранять информацию и работоспособность после воздействия ионизирующего излучения космического пространства:
Поглощенная доза 5*10 в степени 4 (Дж/кг) = 5*10 в степени 4 (Грэй).
"Величина свыше 10 Грэй - считается абсолютно смертельной для человека."
Итак, 5*10 в степени 4 делим на 10, получаем, что такого уровня воздействия радиации хватит, чтобы уничтожить человека 5000 раз!