Поскольку микросхема ЗУ на ЦМД в чистом виде аналоговое устройство, то на ее входы нужно задать импульсы тока (именно тока, а не напряжения!). И в ответ мы получаем на ее выходе 2 аналоговых импульсных сигнала амплитудой 5-10 мВ длительностью 1,5 мкс, на фоне синфазной наводки от поля управления амплитудой 100-200 мВ, т.е. в 10-20 раз больше полезного сигнала.
Итак, ИМС ЗУ на ЦМД:
1. Аналоговое устройство по входу
2. Аналоговое устройство по выходу
3. Токовое устройство (поскольку разброс сопротивлений функциональных узлов более 20%, а требования к амплитудам токов гораздо жестче, то просто подать импульсное напряжение на функциональный узел не имеет смысла)
Казалось бы, достаточно геморроя. Но она еще и ...
4. Память последовательного типа.
Как это выглядит? На 2 ортогональные катушки микросхемы подаем токи управления, сдвинутые относительно друг друга на четверть периода. Таким образом внутри ИМС формируется вектор магнитного поля, вращающегося в плоскости кристалла с частотой 100 кГц. То есть один такт поля управления равен 10 мкс. Один цикл записи/чтения информации во времени занимает 512 тактов по 10 мкс, итого 5,12 мс. Информационный сигнал последовательно считываем с 2 детекторов ИМС за 256 тактов поля. Итого за 2,56 мс получаем 256 бит информации, которые надо скинуть в некий буфер (FIFO).
5. Все входные сигналы (а их как минимум 6), и выходные тоже, должны быть жестко синхронизированы друг относительно друга с точностью не хуже 2% (100 кГц +-2%) и иметь точную длительность. То есть без кварца не обойтись!
