Проектирование троичных элементов (2) - пробуем транзисторы

Уравновешенная троичная система счисления - форум переехал с http://ternary.info

Moderator: haqreu

User avatar
Shaos
Admin
Posts: 24020
Joined: 08 Jan 2003 23:22
Location: Silicon Valley

Проектирование троичных элементов (2) - пробуем транзисторы

Post by Shaos »

Ronin wrote:В качестве троичного буфера можно местами аналоговый ставить, например такой:
Image
Last edited by Shaos on 21 Sep 2012 16:38, edited 5 times in total.
Я тут за главного - если что шлите мыло на me собака shaos точка net
User avatar
Ronin
Maniac
Posts: 304
Joined: 29 Mar 2005 06:06
Location: Krasnodar

Post by Ronin »

Попытался запроектировать несколько унарных троичных элемента на транзисторах, резисторах и стабилитронах (назовем ее РТС схемотехникой).
В результате охватил 14 (плюс три константы) из 27 функций пятью элементами, используемых прямо или через инвертор. Остальные 10 функций оставил универсальной унарной ячейке (т.к. количество транзисторов возрастает еще больше). Итак, элементы следующие:
A - универсальный инвертор (5 выходов - OON, PPN, PON(inv), PNN, POO) - 2 транзистора;
Image

B - инвертор (PON) - 2 транзистора;
Image

C - PPO - 1 транзистор;
Image

D - ONN - 1 транзистор;
Image

E - аналоговый буфер - 2 транзистора;
Image

цифровой буфер получается из двух инверторов.

транзисторы должны иметь h21e не менее 100..200 (лучше 300-500)

уровни:
O: -2.5v..+2.5v (рекомендуется -2v..+2v)
N: -5.5v..-3v (рекомендуется -5v..-4v)
P: +3v..+5.5v (рекомендуется +4v..+5v)

возможно также будет полезно использование стабилитронов на 0.5-1v ниже, что приведет к соответстенному расширению зоны логических уровней P и N, подверженных смещению под нагрузкой.

т.к. в РТС схемотехнике нет стекающих на землю токов, резисторы подтяжки к нулю могут иметь большое сопротивление, порядка 10k. При указанных коллекторных и базовых сопротивлениях коэффициент разветвления выходов примерно 3..4 (при увеличении h21e возможно и более) (у простого инвертора коэффициент разветвления - порядка 7-10), для увеличения нагрузочной способности следует применять аналоговый буфер. Включение двух аналоговых буферов в цепочке недопустимо, т.к. на каждом теряетсе около 0.6v.

Быстродействие - я тут приложил workbench файлы - посмотрите сами, инвертор на нагрузке 50-100пф по уровню 0.5 задержка 0.1мкс, по уровню 0.9 - 0.2мкс (что примерно и ожидалось), при увеличении h21e и амплитуды входного сигнала задержки улучшаются. В общем примерно как и 176/561 серии, до частот около 1Мгц.
http://nedopc.org/nedopc/upload/3logic0ewb.zip

пс// я тут подумал - в элементах C(PPO) и D(ONN) низковольтные стабилитроны можно заменить резистивным делителем, хотя желательно при этом увеличить h21e транзисторов. Хотя проще всего будет использовать вместо них пару кремниевых диодов в прямом направлении.
User avatar
Shaos
Admin
Posts: 24020
Joined: 08 Jan 2003 23:22
Location: Silicon Valley

Post by Shaos »

Ronin wrote:Попытался запроектировать несколько унарных троичных элемента на транзисторах, резисторах и стабилитронах (назовем ее РТС схемотехникой).
В результате охватил 14 (плюс три константы) из 27 функций пятью элементами, используемых прямо или через инвертор. Остальные 10 функций оставил универсальной унарной ячейке (т.к. количество транзисторов возрастает еще больше). Итак, элементы следующие:
A - универсальный инвертор (5 выходов - OON, PPN, PON(inv), PNN, POO) - 2 транзистора;
Image

B - инвертор (PON) - 2 транзистора;
Image

C - PPO - 1 транзистор;
Image

D - ONN - 1 транзистор;
Image

E - аналоговый буфер - 2 транзистора;
Image

цифровой буфер получается из двух инверторов.

транзисторы должны иметь h21e не менее 100..200 (лучше 300-500)

уровни:
O: -2.5v..+2.5v (рекомендуется -2v..+2v)
N: -5.5v..-3v (рекомендуется -5v..-4v)
P: +3v..+5.5v (рекомендуется +4v..+5v)

возможно также будет полезно использование стабилитронов на 0.5-1v ниже, что приведет к соответстенному расширению зоны логических уровней P и N, подверженных смещению под нагрузкой.

т.к. в РТС схемотехнике нет стекающих на землю токов, резисторы подтяжки к нулю могут иметь большое сопротивление, порядка 10k. При указанных коллекторных и базовых сопротивлениях коэффициент разветвления выходов примерно 3..4 (при увеличении h21e возможно и более) (у простого инвертора коэффициент разветвления - порядка 7-10), для увеличения нагрузочной способности следует применять аналоговый буфер. Включение двух аналоговых буферов в цепочке недопустимо, т.к. на каждом теряетсе около 0.6v.

Быстродействие - я тут приложил workbench файлы - посмотрите сами, инвертор на нагрузке 50-100пф по уровню 0.5 задержка 0.1мкс, по уровню 0.9 - 0.2мкс (что примерно и ожидалось), при увеличении h21e и амплитуды входного сигнала задержки улучшаются. В общем примерно как и 176/561 серии, до частот около 1Мгц.
http://nedopc.org/nedopc/upload/3logic0ewb.zip

пс// я тут подумал - в элементах C(PPO) и D(ONN) низковольтные стабилитроны можно заменить резистивным делителем, хотя желательно при этом увеличить h21e транзисторов. Хотя проще всего будет использовать вместо них пару кремниевых диодов в прямом направлении.
Как говорится снимаю шляпу ;)

Наверное проще уже придумать нельзя!

Я правда пока еще не разобрался в чем смысл стабилитронов - подумаю на досуге. А по поводу транзисторов подозревал, что что-то подобное можно соорудить :)
Я тут за главного - если что шлите мыло на me собака shaos точка net
User avatar
Shaos
Admin
Posts: 24020
Joined: 08 Jan 2003 23:22
Location: Silicon Valley

Post by Shaos »

Ronin wrote: A - универсальный инвертор (5 выходов - OON, PPN, PON(inv), PNN, POO) - 2 транзистора;
Image
Вообще каждую из функций OON, PPN, PNN, POO можно получить одним компаратором 311, у которого можно подключать землю выходного транзистора в нужное место и подтягивать выход в нужному напряжению - т.е. можно получить выход в любых двух троичных диапазонах и охватить 12 функций: NNP, NPP, PPN, PNN, OOP, OPP, PPO, POO, NNO, NOO, OON, OON (причем каждая из функций NOO и OOP может также быть получена 1 диодом и 1 резистором).
Я тут за главного - если что шлите мыло на me собака shaos точка net
User avatar
Ronin
Maniac
Posts: 304
Joined: 29 Mar 2005 06:06
Location: Krasnodar

Post by Ronin »

Shaos wrote: Вообще каждую из функций OON, PPN, PNN, POO можно получить одним компаратором 311, у которого можно подключать землю выходного транзистора в нужное место и подтягивать выход в нужному напряжению - т.е. можно получить выход в любых двух троичных диапазонах и охватить 12 функций: NNP, NPP, PPN, PNN, OOP, OPP, PPO, POO, NNO, NOO, OON, OON (причем каждая из функций NOO и OOP может также быть получена 1 диодом и 1 резистором).
а ты уверен что "земля выходного транзистора" (эмиттер или что там) будучи подключена например к +5в, позволит его открыть (потенциал базы будет по-любому ниже эмиттера и он всегда будет заперт) ? Именно поэтому и нужны аналоговые МОП-ключи. Но в россыпи полевые транзисторы гораздо менее распространены (читать - дорогие), намного проще использовать интегральные ключи.
Shaos wrote: Я правда пока еще не разобрался в чем смысл стабилитронов
в том чтобы отделить мух от котлет ;) например тут
Image

рассмотрим верхнюю половину, которая должна реагировать только на +5в (а эмитер транзистора - на -5в, т.к. он должен коммутировать выход на -5в) - когда на входе -5в - транзистор заперт, а вот когда 0 или +5в - легко может открытся не только на +5в, но и нулем. вот чтобы этот нуль отсечь (а в схемах PPO и ONN просто чтоб сделать переключение более крутым, т.к. там отсекать такие нули не нужно) и нужны стабилитроны.
Shaos wrote: Ну полусумматор и сумматор я уже придумал, правда на компараторно-переключательно-диодной логике
ага, видел, отлично. щас пойду покритикую :)
User avatar
Shaos
Admin
Posts: 24020
Joined: 08 Jan 2003 23:22
Location: Silicon Valley

Post by Shaos »

Ronin wrote:
Shaos wrote: Вообще каждую из функций OON, PPN, PNN, POO можно получить одним компаратором 311, у которого можно подключать землю выходного транзистора в нужное место и подтягивать выход в нужному напряжению - т.е. можно получить выход в любых двух троичных диапазонах и охватить 12 функций: NNP, NPP, PPN, PNN, OOP, OPP, PPO, POO, NNO, NOO, OON, OON (причем каждая из функций NOO и OOP может также быть получена 1 диодом и 1 резистором).
а ты уверен что "земля выходного транзистора" (эмиттер или что там) будучи подключена например к +5в, позволит его открыть (потенциал базы будет по-любому ниже эмиттера и он всегда будет заперт) ? Именно поэтому и нужны аналоговые МОП-ключи. Но в россыпи полевые транзисторы гораздо менее распространены (читать - дорогие), намного проще использовать интегральные ключи.
Ну "земля" цепляется либо к -5В, либо к 0В, но никак не к +5В :)
Подтягивающий резистор цепляется либо к 0В, либо к +5В - надо попробовать!
Ronin wrote:
Shaos wrote: Я правда пока еще не разобрался в чем смысл стабилитронов
в том чтобы отделить мух от котлет ;) например тут
Image

рассмотрим верхнюю половину, которая должна реагировать только на +5в (а эмитер транзистора - на -5в, т.к. он должен коммутировать выход на -5в) - когда на входе -5в - транзистор заперт, а вот когда 0 или +5в - легко может открытся не только на +5в, но и нулем. вот чтобы этот нуль отсечь (а в схемах PPO и ONN просто чтоб сделать переключение более крутым, т.к. там отсекать такие нули не нужно) и нужны стабилитроны.
А почему именно на 7 вольт?
Ronin wrote:
Shaos wrote: Ну полусумматор и сумматор я уже придумал, правда на компараторно-переключательно-диодной логике
ага, видел, отлично. щас пойду покритикую :)
давай :)
Я тут за главного - если что шлите мыло на me собака shaos точка net
User avatar
cr0acker
God
Posts: 1078
Joined: 03 Feb 2003 13:53

Post by cr0acker »

Shaos wrote:
Ronin wrote:
Shaos wrote: Вообще каждую из функций OON, PPN, PNN, POO можно получить одним компаратором 311, у которого можно подключать землю выходного транзистора в нужное место и подтягивать выход в нужному напряжению - т.е. можно получить выход в любых двух троичных диапазонах и охватить 12 функций: NNP, NPP, PPN, PNN, OOP, OPP, PPO, POO, NNO, NOO, OON, OON (причем каждая из функций NOO и OOP может также быть получена 1 диодом и 1 резистором).
а ты уверен что "земля выходного транзистора" (эмиттер или что там) будучи подключена например к +5в, позволит его открыть (потенциал базы будет по-любому ниже эмиттера и он всегда будет заперт) ? Именно поэтому и нужны аналоговые МОП-ключи. Но в россыпи полевые транзисторы гораздо менее распространены (читать - дорогие), намного проще использовать интегральные ключи.
Ну "земля" цепляется либо к -5В, либо к 0В, но никак не к +5В :)
Подтягивающий резистор цепляется либо к 0В, либо к +5В - надо попробовать!
Ronin wrote:
Shaos wrote: Я правда пока еще не разобрался в чем смысл стабилитронов
в том чтобы отделить мух от котлет ;) например тут
Image

рассмотрим верхнюю половину, которая должна реагировать только на +5в (а эмитер транзистора - на -5в, т.к. он должен коммутировать выход на -5в) - когда на входе -5в - транзистор заперт, а вот когда 0 или +5в - легко может открытся не только на +5в, но и нулем. вот чтобы этот нуль отсечь (а в схемах PPO и ONN просто чтоб сделать переключение более крутым, т.к. там отсекать такие нули не нужно) и нужны стабилитроны.
А почему именно на 7 вольт?
Ronin wrote:
Shaos wrote: Ну полусумматор и сумматор я уже придумал, правда на компараторно-переключательно-диодной логике
ага, видел, отлично. щас пойду покритикую :)
давай :)
Потому как в данном случае стаблитрон не стабилизировать, а изенять внутренне соправтевление.
Image
Формат конференции позволяет сказать то что я действительно думаю о проблемах...
(с) Путин
User avatar
Ronin
Maniac
Posts: 304
Joined: 29 Mar 2005 06:06
Location: Krasnodar

Post by Ronin »

>А почему именно на 7 вольт?

условно - уровень срабатывания +3в, итого от -5в до +3в - 8в, примерно 0.6-0.7в на базовом переходе, итого 7.4 должно падать на стабилитроне. при 7в порог сместится к 2.6-2.7в, но полное открывание транзистора на 3в будет уже надежным.

>Потому как в данном случае стаблитрон не стабилизировать, а изенять внутренне соправтевление.

на стабилитроне съедается 7в. если этих 7в на нем нет - он заперт.
User avatar
cr0acker
God
Posts: 1078
Joined: 03 Feb 2003 13:53

Post by cr0acker »

Да господа хорошии, а как вы собираетесь боротья с емкостью миллера
Image
Формат конференции позволяет сказать то что я действительно думаю о проблемах...
(с) Путин
User avatar
Ronin
Maniac
Posts: 304
Joined: 29 Mar 2005 06:06
Location: Krasnodar

Post by Ronin »

cr0acker wrote:Да господа хорошии, а как вы собираетесь боротья с емкостью миллера
ну ты б рассказал чего она нам напакостить-то может, на наших частотах и с нашими токами.
честно, я плохо знаю ее вредность.
User avatar
cr0acker
God
Posts: 1078
Joined: 03 Feb 2003 13:53

Post by cr0acker »

Ronin wrote:>А почему именно на 7 вольт?

условно - уровень срабатывания +3в, итого от -5в до +3в - 8в, примерно 0.6-0.7в на базовом переходе, итого 7.4 должно падать на стабилитроне. при 7в порог сместится к 2.6-2.7в, но полное открывание транзистора на 3в будет уже надежным.

>Потому как в данном случае стаблитрон не стабилизировать, а изенять внутренне соправтевление.

на стабилитроне съедается 7в. если этих 7в на нем нет - он заперт.
Ну замерт это знать R>>бесконечности.
Image
Формат конференции позволяет сказать то что я действительно думаю о проблемах...
(с) Путин
User avatar
cr0acker
God
Posts: 1078
Joined: 03 Feb 2003 13:53

Post by cr0acker »

Ronin wrote:
cr0acker wrote:Да господа хорошии, а как вы собираетесь боротья с емкостью миллера
ну ты б рассказал чего она нам напакостить-то может, на наших частотах и с нашими токами.
честно, я плохо знаю ее вредность.
Ну судя по исследованиям филлипса в этом вопросе ёкость миилера при двух каскадах биполярах даёт о себе знать уже на 150Кгц. Хотя тута надо смотреть. Какие транзисторы использовать.
Image
Формат конференции позволяет сказать то что я действительно думаю о проблемах...
(с) Путин
User avatar
Ronin
Maniac
Posts: 304
Joined: 29 Mar 2005 06:06
Location: Krasnodar

Post by Ronin »

мдя... надо какой-нибудь ферро-индукционный транзистор выдумывать :)
а то меня эта сложность обычных элементов если честно напрягает. никакой пользы от троичности не получается.
User avatar
Shaos
Admin
Posts: 24020
Joined: 08 Jan 2003 23:22
Location: Silicon Valley

Post by Shaos »

Ronin wrote:мдя... надо какой-нибудь ферро-индукционный транзистор выдумывать :)
а то меня эта сложность обычных элементов если честно напрягает. никакой пользы от троичности не получается.
надо искать :)

можно попробовать непосредственно на КМОП (CMOS) транзисторах что-то замутить - для начала можно использовать чип "сделай сам" под названием 4007
Я тут за главного - если что шлите мыло на me собака shaos точка net
User avatar
Shaos
Admin
Posts: 24020
Joined: 08 Jan 2003 23:22
Location: Silicon Valley

Post by Shaos »

Shaos wrote:
Ronin wrote:мдя... надо какой-нибудь ферро-индукционный транзистор выдумывать :)
а то меня эта сложность обычных элементов если честно напрягает. никакой пользы от троичности не получается.
надо искать :)

можно попробовать непосредственно на КМОП (CMOS) транзисторах что-то замутить - для начала можно использовать чип "сделай сам" под названием 4007
Вот тут мне ссылочку подкинули в тему ;)

Image

Image

Это некий троичный элемент на КМОП-ах, который может работать как троичный инвертор (самая правая часть диаграммы).
Я тут за главного - если что шлите мыло на me собака shaos точка net