Для буфера или инвертора 18 транзисторов переборище! Это вот как раз особенности CMOS такие. В двоичной логике CMOS , это количество транзюков в ТТЛ просто надо умножать на два.Shaos wrote: 18 May 2025 21:49 Я в 2015 году кстати когда свой троичный чип разрабатывал, то среди многочисленных тестовых схем на том чипе были схема троичного инвертора и схема троичного буфера, которые я построил по всем правилам построения схем CMOS - всё строго комплиментарно и с многоэтажными цепями - у меня тогда вышло 18 транзисторов (9 pMOS и 9 nMOS) и там, и там - потом в силиконе всё работало на ура (хоть и медленно). Схемы эти я "продал" ребятам, которые оплатили половину производства чипов (вместе с ещё одной хитрой троичной схемкой построенной по ихнему ТЗ) поэтому привести принципиальные схемы тут не смогу![]()
Могу лишь сказать, что такой способ построения троичных схем мне НЕ понравился и я сконцентрировался на троичных селекторах...

Но это ещё не вся беда. За ней следующая идут, а именно, если реализовывать на кристалле, то выгодней, для дешевезны изделия тупо, оперировать двумя логическими элементами и на них всю схему строить. Что увеличивает порядочно итоговое кол-во транзисторов. Увеличивает площадь кристалла самого. Но, как это ни странно, для его изготовления и обработки технологических процессов меньше требуется тогда, а стало быть его цена ниже становится. A CMOS это фактически везде, в любом элементе, инверсия стоит, которую зачастую снова инвертить надо.
В относительно свежих даташитах от ТИ даже стали рисовать схему устройства элемента какого, я рядом чутка другая схема, по которой он реально в кристалле вылеплен. Раньше так не рисовали. Это была тайна-тайная разработчиков. С недавних пор стало практиковаться, хорошим тоном стало.
И какая бы схема не была, это уже третья "беда" . её ещё по разному развести можно - изготовить. В одном случае будет одна и та же схема быстрее работать, в другом, где лепили абы как, менее шустрее.
Так что тут много факторов влияющих на характеристики конечного изделия.