текут вообще мало-мало, а они - старьё!
У вас небось с реальными КМОП ПТ на входе полно ОУ...
Но ещё раз говорю - мне не нравится такое решение...

Moderator: haqreu
По твоим же измерениям - быстродействие никуда не годное.Shaos wrote:Зато на нём уже можно реально что-то строить, а потом внутренности можно подменить на что-то статическое...
Ха-ха...Lavr wrote:И я вот тут сделал прикидку, как считает троичный счетчик:
Откуда видно, что троичные аналоги D-триггеров больше напоминают по сути
"циркуляторы" и уж точно не переписывают состояние своего инверсного
выхода /Q - на прямой выход Q через вход D.![]()
И то и другое - полумеры на первый случай...Shaos wrote:Здравый смысл подсказывает мне, что синхросигнал в виде пилы будет давать больше помех, чем синхросигнал в виде синусоиды, нет?...
Коньюнкцию в троичной логике вводят в общем-то вот так:Lavr wrote:Ну и пока я делаю троичный NAND, может быть кто-либо выложит
его верную таблицу истинности? А потом сравним с моим образцом?
Значит таблицы истинности для троичной конъюнкции и её отрицания имеютcильная конъюнкция (A & B) имеет следующие значения истинности:
1) она верна, когда A верно и B верно;
2) она ложна, когда ложно по крайней мере одно из них (каково бы ни было
в это время значение другого из них);
3) она определена только в этих случаях (и не определена, следовательно,
в остальных).
Да - по твоей ссылке этот момент популярно разжевали...Shaos wrote:Кстати MIN и MAX замечательно строятся на диодах...
Николай Брусенцов wrote:... людям, оболваненным двузначной логикой, войти в трехзначную логику не дано.
Источник wrote:Троичная система, с которой так любят носиться не шибко образованные в ВТ "патриоты",
то же самое, что три пола в половом размножении...
Интересно теоретически, что-то такое дает в перспективе, но на практике - очень сложно
и ненадежно.
И засада оказалась вот в чём: полевики я поставил идеальные, с порогом в нуле,Lavr wrote:Как только сделал вот такой выходной каскад:Lavr wrote:...пока я делаю троичный NAND...
Выходной троичный сигнал сразу вдруг перекосило...
Под нагрузкой 1Ком просаживается вообще сильно...![]()
Причем вся гнусность в выходном каскаде, как ни странно...
Если нижние транзисторы поставить в параллель (управление сейчас синфазное),
Сигнал более-менее выравнивается... Засада какая-то...
PS. Похоже, придётся подбирать параметры ключей выходного каскада...![]()
На одинаковых "идеальных" моделях полевиков - не вырисовывается...![]()
Наоборот - более подходящие в среднем для большинства применений.Shaos wrote:Значит ли это, что EWB имеет фиговые модели транзисторов?...
Code: Select all
* BSIM3 models for AMI Semiconductor's C5 process
*
* Don't forget the .options scale=300nm if using drawn lengths
* and the MOSIS SUBM design rules
*
* 2<Ldrawn<500 10<Wdrawn<10000 Vdd=5V
* Note minimum L is 0.6 um while minimum W is 3 um
* Change to level=49 when using HSPICE
.MODEL NMOS NMOS ( LEVEL = 8
+VERSION = 3.1 TNOM = 27 TOX = 1.39E-8
+XJ = 1.5E-7 NCH = 1.7E17 VTH0 = 0.6696061
+K1 = 0.8351612 K2 = -0.0839158 K3 = 23.1023856
+K3B = -7.6841108 W0 = 1E-8 NLX = 1E-9
+DVT0W = 0 DVT1W = 0 DVT2W = 0
+DVT0 = 2.9047241 DVT1 = 0.4302695 DVT2 = -0.134857
+U0 = 458.439679 UA = 1E-13 UB = 1.485499E-18
+UC = 1.629939E-11 VSAT = 1.643993E5 A0 = 0.6103537
+AGS = 0.1194608 B0 = 2.674756E-6 B1 = 5E-6
+KETA = -2.640681E-3 A1 = 8.219585E-5 A2 = 0.3564792
+RDSW = 1.387108E3 PRWG = 0.0299916 PRWB = 0.0363981
+WR = 1 WINT = 2.472348E-7 LINT = 3.597605E-8
+XL = 0 XW = 0 DWG = -1.287163E-8
+DWB = 5.306586E-8 VOFF = 0 NFACTOR = 0.8365585
+CIT = 0 CDSC = 2.4E-4 CDSCD = 0
+CDSCB = 0 ETA0 = 0.0246738 ETAB = -1.406123E-3
+DSUB = 0.2543458 PCLM = 2.5945188 PDIBLC1 = -0.4282336
+PDIBLC2 = 2.311743E-3 PDIBLCB = -0.0272914 DROUT = 0.7283566
+PSCBE1 = 5.598623E8 PSCBE2 = 5.461645E-5 PVAG = 0
+DELTA = 0.01 RSH = 81.8 MOBMOD = 1
+PRT = 8.621 UTE = -1 KT1 = -0.2501
+KT1L = -2.58E-9 KT2 = 0 UA1 = 5.4E-10
+UB1 = -4.8E-19 UC1 = -7.5E-11 AT = 1E5
+WL = 0 WLN = 1 WW = 0
+WWN = 1 WWL = 0 LL = 0
+LLN = 1 LW = 0 LWN = 1
+LWL = 0 CAPMOD = 2 XPART = 0.5
+CGDO = 2E-10 CGSO = 2E-10 CGBO = 1E-9
+CJ = 4.197772E-4 PB = 0.99 MJ = 0.4515044
+CJSW = 3.242724E-10 PBSW = 0.1 MJSW = 0.1153991
+CJSWG = 1.64E-10 PBSWG = 0.1 MJSWG = 0.1153991
+CF = 0 PVTH0 = 0.0585501 PRDSW = 133.285505
+PK2 = -0.0299638 WKETA = -0.0248758 LKETA = 1.173187E-3
+AF = 1 KF = 0)
*
.MODEL PMOS PMOS ( LEVEL = 8
+VERSION = 3.1 TNOM = 27 TOX = 1.39E-8
+XJ = 1.5E-7 NCH = 1.7E17 VTH0 = -0.9214347
+K1 = 0.5553722 K2 = 8.763328E-3 K3 = 6.3063558
+K3B = -0.6487362 W0 = 1.280703E-8 NLX = 2.593997E-8
+DVT0W = 0 DVT1W = 0 DVT2W = 0
+DVT0 = 2.5131165 DVT1 = 0.5480536 DVT2 = -0.1186489
+U0 = 212.0166131 UA = 2.807115E-9 UB = 1E-21
+UC = -5.82128E-11 VSAT = 1.713601E5 A0 = 0.8430019
+AGS = 0.1328608 B0 = 7.117912E-7 B1 = 5E-6
+KETA = -3.674859E-3 A1 = 4.77502E-5 A2 = 0.3
+RDSW = 2.837206E3 PRWG = -0.0363908 PRWB = -1.016722E-5
+WR = 1 WINT = 2.838038E-7 LINT = 5.528807E-8
+XL = 0 XW = 0 DWG = -1.606385E-8
+DWB = 2.266386E-8 VOFF = -0.0558512 NFACTOR = 0.9342488
+CIT = 0 CDSC = 2.4E-4 CDSCD = 0
+CDSCB = 0 ETA0 = 0.3251882 ETAB = -0.0580325
+DSUB = 1 PCLM = 2.2409567 PDIBLC1 = 0.0411445
+PDIBLC2 = 3.355575E-3 PDIBLCB = -0.0551797 DROUT = 0.2036901
+PSCBE1 = 6.44809E9 PSCBE2 = 6.300848E-10 PVAG = 0
+DELTA = 0.01 RSH = 101.6 MOBMOD = 1
+PRT = 59.494 UTE = -1 KT1 = -0.2942
+KT1L = 1.68E-9 KT2 = 0 UA1 = 4.5E-9
+UB1 = -6.3E-18 UC1 = -1E-10 AT = 1E3
+WL = 0 WLN = 1 WW = 0
+WWN = 1 WWL = 0 LL = 0
+LLN = 1 LW = 0 LWN = 1
+LWL = 0 CAPMOD = 2 XPART = 0.5
+CGDO = 2.9E-10 CGSO = 2.9E-10 CGBO = 1E-9
+CJ = 7.235528E-4 PB = 0.9527355 MJ = 0.4955293
+CJSW = 2.692786E-10 PBSW = 0.99 MJSW = 0.2958392
+CJSWG = 6.4E-11 PBSWG = 0.99 MJSWG = 0.2958392
+CF = 0 PVTH0 = 5.98016E-3 PRDSW = 14.8598424
+PK2 = 3.73981E-3 WKETA = 5.292165E-3 LKETA = -4.205905E-3
+AF = 1 KF = 0)
угу - для процесса C5 (0.5um) - я это пару лет назад с одного сайта стянул (щас уже не могу там это найти), зато вот нашёл ещё поновее модели - 1um и 50nm:Lavr wrote:Спасибо, безусловно!![]()
То есть, ты хочешь сказать, что это конкретно параметры КМОП-транзисторов
в интегральном исполнении?
Code: Select all
*
* Long channel models from CMOS Circuit Design, Layout, and Simulation,
* Level=3 models VDD=5V, see CMOSedu.com
*
.MODEL N_1u NMOS LEVEL = 3
+ TOX = 200E-10 NSUB = 1E17 GAMMA = 0.5
+ PHI = 0.7 VTO = 0.8 DELTA = 3.0
+ UO = 650 ETA = 3.0E-6 THETA = 0.1
+ KP = 120E-6 VMAX = 1E5 KAPPA = 0.3
+ RSH = 0 NFS = 1E12 TPG = 1
+ XJ = 500E-9 LD = 100E-9
+ CGDO = 200E-12 CGSO = 200E-12 CGBO = 1E-10
+ CJ = 400E-6 PB = 1 MJ = 0.5
+ CJSW = 300E-12 MJSW = 0.5
*
.MODEL P_1u PMOS LEVEL = 3
+ TOX = 200E-10 NSUB = 1E17 GAMMA = 0.6
+ PHI = 0.7 VTO = -0.9 DELTA = 0.1
+ UO = 250 ETA = 0 THETA = 0.1
+ KP = 40E-6 VMAX = 5E4 KAPPA = 1
+ RSH = 0 NFS = 1E12 TPG = -1
+ XJ = 500E-9 LD = 100E-9
+ CGDO = 200E-12 CGSO = 200E-12 CGBO = 1E-10
+ CJ = 400E-6 PB = 1 MJ = 0.5
+ CJSW = 300E-12 MJSW = 0.5