nedoPC.org

Так оно нигде не симулировалось ещё даже? То есть чисто на глаз?

Почти что так, предварительный прототип Вебба собирал в железе и пока всё...

Ну ок - держи в курсе как пойдёт в железе

Пришли сборки ALD1105. Собрал самую простую схему --- троичный элемент ИЛИ, работает, но далеко не так, как мне хотелось. Выяснилось, что транзисторы в сборках управляются напряжением затвор-исток, а для моих схем надо затвор-подложка, как в аналоговых ключах. На этих сборках не получится....

Я присматривался к К547КП1, но они тоже корректно работать в этой схеме не будут....

Я пришёл к выводу, что МДП-структур, пригодных для моих схем, просто пока нет в природе, хотя нечто подобное используется в стандартных КМОП-элементах. Я решил озаботиться разработкой топологии таких структур в САПР ИМС. Кто что может посоветовать ?

ALD1105 и подобные должны иметь достаточно близкие к реальности CMOS элементы - если не работает с ними, то не будет работать нигде

Я бы сформулировал задачу несколько точнее. Нужно разработать такую топологию МОП-транзисторов, чтобы обеспечить управление проводимостью канала напряжением затвор-подложка, при этом проводимость канала не должна зависеть от напряжения исток-подложка в диапазоне нескольких вольт. Итак, мне нужна САПР, в которой можно решить эту задачу.

Я боюсь таких САПР не существует...

Я думаю, что они есть, просто инфу по ним трудно найти и они стоят недёшево.

САПРы делаются под техпроцесс (или поддерживают интеграцию сторонних PDK от чипмейкеров у которых уже есть свой техпроцесс) - если техпроцесса ещё нет, то нет и САПРа…

Что можете посоветовать делать дальше с моими схемами ?

Попытаться найти существующий полупроводниковый компонент который может делать то, что надо?

Я изучил работу https://trilog.narod.ru/index.htm. Продолжил исследования, в ходе которых выяснилось, что ALD1105 --- довольно непонятный и мутноватый элемент (непонятно звонятся затворы), кроме того P-канальные транзисторы при первой возможности как то странно выгорают. Дальнейшие эксперименты решено проводить на сборках IRF7105.

Это там где каждый транзистор имеет индивидуально подстроенные в симуляторе параметры? Такое в железе не сделать

Там используются транзисторы с пороговым напряжением 0,5 Uпит и 1,5Uпит. Я полагаю, это вполне реализуемо в интегральной технологии. При сборке на дискретных элементах я планирую увеличить пороговое напряжение схемой сдвига уровня на стабилитроне и резисторе.